[發(fā)明專(zhuān)利]多層電子組件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211115317.0
• 申請(qǐng)日: 2022-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115810486A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳泳俊;金正烈
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01G4/008
• 分類(lèi)號(hào): H01G4/008;H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張紅;孫麗妍

本公開(kāi)提供一種多層電子組件及其制造方法。所述多層電子組件包括主體和設(shè)置在所述主體上的外電極，所述主體包括多個(gè)第一介電層和多個(gè)內(nèi)電極，所述主體被劃分為：電容形成部，在所述電容形成部中，所述多個(gè)第一介電層和所述多個(gè)內(nèi)電極在第一方向上交替地設(shè)置；第一覆蓋部，設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的一個(gè)表面上，并且包括第二介電層；以及第二覆蓋部，設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介電層。其中，如果在所述多個(gè)內(nèi)電極之中的最靠近所述第一覆蓋部設(shè)置的內(nèi)電極被稱(chēng)為IE1，則IE1中的Ni(OH)₂質(zhì)量與NiO質(zhì)量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。

本申請(qǐng)要求于2021年9月14日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2021-0122733號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)和于2022年4月20日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2022-0048917號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種多層電子組件及其制造方法。

背景技術(shù)

多層陶瓷電容器(MLCC)(一種多層電子組件)可以是如下的片式電容器：該片式電容器安裝在各種類(lèi)型的電子產(chǎn)品(諸如包括液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)等的圖像顯示裝置以及計(jì)算機(jī)、智能電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)等)的印刷電路板上，并且用于進(jìn)行充電或放電。

這樣的多層陶瓷電容器由于具有相對(duì)小的尺寸、相對(duì)高的容量和相對(duì)容易的安裝性，可以用作各種電子裝置的組件。隨著電子裝置的組件的尺寸的減小，對(duì)減小多層陶瓷電容器的尺寸和增大多層陶瓷電容器的容量的需求不斷增加。

為了滿(mǎn)足減小多層陶瓷電容器的尺寸和增大多層陶瓷電容器的容量的需求，需要減小介電層的厚度和內(nèi)電極的厚度以增加堆疊層的數(shù)量。目前，內(nèi)電極已經(jīng)達(dá)到約0.6μm的厚度，并在繼續(xù)變薄。然而，為了減小內(nèi)電極的厚度，作為基體材料的金屬粉末已經(jīng)微粒化。因而，燒結(jié)收縮起始溫度已經(jīng)降低，并且與介電層的收縮行為的不匹配已經(jīng)增加，使得可能發(fā)生諸如分層等的缺陷。

特別地，由于電容形成部和覆蓋部之間的結(jié)合力低于電容形成部中的介電層和內(nèi)電極之間的結(jié)合力，因此可能出現(xiàn)電容形成部和覆蓋部之間的A/C裂紋。當(dāng)在電容形成部和覆蓋部之間出現(xiàn)A/C裂紋時(shí)，可能發(fā)生短路或者擊穿電壓(BDV)可能降低，從而降低可靠性。

因此，需要一種能夠抑制電容形成部和覆蓋部之間的A/C裂紋的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一個(gè)方面在于提供一種具有優(yōu)異可靠性的多層電子組件及其制造方法。

另外，本公開(kāi)的另一方面在于提供一種抑制在電容形成部和覆蓋部之間出現(xiàn)A/C裂紋的多層電子組件。

然而，本公開(kāi)的方面不限于上述內(nèi)容，并且在描述本公開(kāi)的具體實(shí)施例的過(guò)程中將更容易理解。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種多層電子組件包括主體和設(shè)置在所述主體上的外電極。所述主體包括多個(gè)第一介電層和多個(gè)內(nèi)電極，所述主體被劃分為：電容形成部，在所述電容形成部中，所述多個(gè)第一介電層和所述多個(gè)內(nèi)電極在第一方向上交替地設(shè)置；第一覆蓋部，設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的一個(gè)表面上，并且包括第二介電層；以及第二覆蓋部，設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介電層。其中，在所述多個(gè)內(nèi)電極之中的最靠近所述第一覆蓋部設(shè)置的內(nèi)電極被稱(chēng)為IE1，并且IE1中的Ni(OH)₂質(zhì)量與NiO質(zhì)量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。