[發明專利]雙面冷卻型半導體器件

在審

• 申請號: 202211111263.0
• 申請日: 2022-09-13
• 公開（公告）號: CN115985864A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 金永錫;洪坰國
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社;起亞株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;崔龍鉉

1.一種雙面冷卻型半導體器件，包括：

第一電路基板和第二電路基板；

半導體元件，接合到所述第一電路基板的控制電極；

第一間隔件，設置在所述第一電路基板與所述半導體元件之間，所述第一間隔件接合到所述第一電路基板，并接合到所述半導體元件；以及

第二間隔件，設置在所述第二電路基板與所述半導體元件之間，所述第二間隔件接合到所述第二電路基板，并接合到所述半導體元件。

2.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一間隔件沿垂直于連接到所述半導體元件的平面的方向的厚度與所述第二間隔件沿垂直于連接到下電極的平面的方向的厚度之間的差的絕對值小于或等于第一參考值。

3.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一間隔件沿垂直于連接到所述半導體元件的平面的方向的電導率與所述第二間隔件沿垂直于連接到下電極的平面的方向的電導率之間的差的絕對值小于或等于第二參考值。

4.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一間隔件沿垂直于連接到所述半導體元件的平面的方向的熱膨脹系數與所述第二間隔件沿垂直于連接到下電極的平面的方向的熱膨脹系數之間的差的絕對值小于或等于第三參考值。

5.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述半導體元件包括：

焊盤，形成在所述半導體元件上；以及

金屬引線，連接所述焊盤和所述第一電路基板的控制電極。

6.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述半導體元件包括：

焊盤，形成在所述半導體元件上；以及

金屬圖案，連接所述焊盤和所述第一電路基板的控制電極。

7.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一電路基板在上絕緣板上進一步包括接合到所述第一間隔件的接合部，并且所述接合部通過形成燒結材料的釬焊接合和焊接接合中的一種接合到所述第一間隔件。

8.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一電路基板進一步包括：

大電源單元，向所述半導體元件供應電力；以及

第三間隔件，位于所述第一電路基板與所述第二電路基板之間，電接合到所述第一電路基板的電路板并接合到所述第二電路基板。

9.根據權利要求1所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

在所述第二電路基板中包括連接到電池的正極的正極端子、連接到所述電池的負極的負極端子和輸出通過所述半導體元件供應的電力的輸出端子。

10.一種雙面冷卻型半導體器件，包括：

下電路基板，包括第一絕緣板、設置在所述第一絕緣板的第一表面的電路圖案和設置在所述第一絕緣板的第二表面的金屬層，所述下電路基板連接到下部的第一散熱器；

上電路基板，包括第二絕緣板、設置在所述第二絕緣板的第一表面的電路圖案和設置在所述第二絕緣板的第二表面的金屬層，所述上電路基板連接到上部的第二散熱器；

半導體元件，連接到所述上電路基板的控制電極；

第一間隔件，位于所述上電路基板與所述半導體元件之間，所述第一間隔件接合到所述上電路基板并連接到所述半導體元件；以及

第二間隔件，位于所述下電路基板與所述半導體元件之間，所述第二間隔件接合到所述下電路基板并連接到所述半導體元件。

11.根據權利要求10所述的雙面冷卻型半導體器件，其中，

所述第一間隔件沿垂直于連接到所述半導體元件的平面的方向的厚度與所述第二間隔件沿垂直于連接到下電極的平面的方向的厚度之間的差的絕對值小于或等于第一參考值。