[發明專利]薄膜晶體管、其制造方法以及包括其的顯示裝置

在審

• 申請號: 202211109417.2
• 申請日: 2022-09-13
• 公開（公告）號: CN115810670A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 盧韶穎;高承孝
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種薄膜晶體管，包括：

在襯底上的有源層；以及

與所述有源層間隔開并與所述有源層至少部分地重疊的柵電極，

其中，所述有源層包括氟(F)并具有在與所述襯底相反的方向上的第一表面，并且

所述有源層具有氟(F)的濃度梯度，其中，沿平行于所述第一表面的方向的氟(F)的濃度梯度小于沿垂直于所述第一表面的方向的氟(F)的濃度梯度。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層具有沿從所述第一表面到所述襯底的方向減小的氟(F)的濃度梯度。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層具有沿從所述第一表面到所述襯底的方向增大的氟(F)的濃度梯度。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層具有沿從所述第一表面到所述襯底的方向增大并且然后減小的氟(F)的濃度梯度。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層在距所述第一表面相同的深度處沿平行于所述第一表面的方向基本上不具有氟的濃度梯度。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層中的氟濃度是0.001原子％(at％)至10at％。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，還包括在所述有源層和所述柵電極之間的柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層包括氟(F)。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，在所述柵極絕緣層中沿平行于所述第一表面的方向的氟(F)的濃度梯度小于沿垂直于所述第一表面的方向的氟(F)的濃度梯度。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層沿平行于所述襯底的表面的方向基本上不具有氟的濃度梯度。

10.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層具有沿朝向所述襯底的方向增大的氟的濃度梯度。

11.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層具有沿朝向所述襯底的方向增大并且然后減小的氟的濃度梯度。

12.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層設置在基于所述襯底的所述表面與所述有源層具有相同高度的點處，并且

所述柵極絕緣層中的氟濃度在所述有源層中的氟濃度增大的區間沿朝向所述襯底的方向增大，并且所述柵極絕緣層中的氟濃度在所述有源層中的氟濃度減小的區間減小。

13.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，還包括位于所述襯底上的緩沖層，

其中，所述有源層設置在所述緩沖層上，以及

所述緩沖層包括氟(F)。

14.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，在所述緩沖層中，沿平行于所述襯底的所述表面的方向的氟(F)的濃度梯度小于沿垂直于所述襯底的所述表面的方向的氟(F)的濃度梯度。

15.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，所述緩沖層沿平行于所述襯底的所述表面的方向基本上不具有氟的濃度梯度。

16.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，所述緩沖層具有沿朝向所述襯底的方向減小的氟的濃度梯度。

17.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，所述緩沖層具有沿朝向所述襯底的方向增大并且然后減小的氟的濃度梯度。

18.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層包括氧化物半導體材料。