[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211098899.6 | 申請日： | 2022-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN115440811A | 公開（公告）日： | 2022-12-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張忠宇;胡凱;何惠欣 | 申請（專利權(quán)）人： | 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
第一氮化物半導(dǎo)體層；
第二氮化物半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上，所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大于所述第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙；
柵電極介電層，其設(shè)置在所述第二氮化物半導(dǎo)體層上；
源電極及漏電極，其設(shè)置在所述柵電極介電層上，并穿過所述柵電極介電層且與所述第二氮化物半導(dǎo)體層接觸；
氮化物導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述柵電極介電層上，并接觸所述柵電極介電層，且所述氮化物導(dǎo)電層位在所述源電極與所述漏電極之間；以及
柵電極，其設(shè)置在所述氮化物導(dǎo)電層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層的位置比所述源電極及所述漏電極相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層的位置還高。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極的底面的寬度小于所述氮化物導(dǎo)電層的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極的頂面的寬度大于所述氮化物導(dǎo)電層的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極的頂面相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層的位置完全地高過所述源電極及所述漏電極的整體相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括沉積層，其設(shè)置在所述柵電極介電層上，并覆蓋所述氮化物導(dǎo)電層、所述源電極及所述漏電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極穿過所述沉積層，以接觸所述氮化物導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少一部分的所述柵電極覆蓋在所述沉積層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極的側(cè)壁與所述沉積層接觸并形成交界面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述交界面相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層為垂直的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述交界面相對所述第二氮化物半導(dǎo)體層為傾斜的。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極介電層與所述沉積層具有相同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化物導(dǎo)電層包括氮化鈦。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化物導(dǎo)電層在其頂表面處具有凹槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的氮基半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵電極的底部位于所述凹槽內(nèi)。
16.一種氮基半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括：
在第一氮化物半導(dǎo)體層上形成第二氮化物半導(dǎo)體層；
在所述第二氮化物半導(dǎo)體層上形成柵電極介電層；
在所述柵電極介電層上形成氮化物導(dǎo)電覆蓋層；
圖案化所述氮化物導(dǎo)電覆蓋層，以形成氮化物導(dǎo)電層；
形成沉積層，且所述沉積層覆蓋所述柵電極介電層及所述氮化物導(dǎo)電層；
在所述沉積層中形成開口，以暴露出所述氮化物導(dǎo)電層的一部分；以及
在所述開口中形成柵電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，在所述沉積層中形成所述開口的步驟包括對沉積層所述執(zhí)行刻蝕，且所述氮化物導(dǎo)電層作為刻蝕停止層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
