[發(fā)明專利]一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法及其所用的設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211097974.7 | 申請日: | 2022-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN115763618A | 公開(公告)日: | 2023-03-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳劍輝;張旭寧;李文恒;陳靜偉;陳兵兵;楊學(xué)良;高青;王笑;郭建新;王淑芳 | 申請(專利權(quán))人: | 河北大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 石家莊領(lǐng)皓專利代理有限公司 13130 | 代理人: | 薛琳 |
| 地址: | 071000 河北省保*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 電池 切割 分片 鈍化 方法 及其 所用 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及電池片切割技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法,包括以下步驟:A、將待切割的電池片放置在傳輸裝置上,傳輸裝置將電池片向激光器方向輸送;B、用激光器產(chǎn)生的激光切割電池片;C、向電池片上噴灑鈍化液,電池片斷裂產(chǎn)生新側(cè)面,鈍化液流向新側(cè)面;D、將新側(cè)面上的鈍化液吹干,形成鈍化層。解決了相關(guān)技術(shù)中激光切割劃片后,新增側(cè)面為高表面復(fù)合區(qū),電池新增側(cè)面不進(jìn)行及時(shí)的鈍化修復(fù),會造成電池片的開路電壓以及轉(zhuǎn)化效率降低,最終的組件CTM值較低的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電池片切割技術(shù)領(lǐng)域,具體的,涉及一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法及其所用的設(shè)備。
背景技術(shù)
在日益嚴(yán)重的能源危機(jī)與環(huán)境污染背景下,光伏發(fā)電作為綠色環(huán)保可再生能源越發(fā)受到各國政府的青睞。其中,光伏組件是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部分,對光伏組件而言,輸出功率即為光伏組件將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的能力。傳統(tǒng)的全電池組件技術(shù)使用全電池片進(jìn)行組裝,大面積的全電池片有較大的內(nèi)部電流和線路電阻,意味著較高的內(nèi)部效率損失,相應(yīng)組件的輸出功率、發(fā)電量也會受到較大影響。相比于傳統(tǒng)的全電池組件技術(shù),基于激光劃片技術(shù)興起的半片、疊瓦組件技術(shù),將全電池切割成了半片、1/5片或1/6片,減少了內(nèi)部電流和線路電阻,使功率損失降低,相應(yīng)的輸出功率、發(fā)電量也就增加了;同時(shí)由于內(nèi)損耗降低,組件的工作溫度也會下降,使其具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率。而且由于電池片面積減少,可以使電路設(shè)計(jì)更加科學(xué),可以在一定程度上降低遮擋的影響,包括發(fā)電量減少、熱斑等。因此,半片、疊瓦組件技術(shù)已成為主流的組件技術(shù),而這些組件技術(shù)正是基于激光劃片技術(shù)。
現(xiàn)有激光劃片技術(shù),利用激光對電池片進(jìn)行局部快速加熱,然后用冷卻技術(shù)產(chǎn)生一個(gè)不均勻的溫度場,從而誘發(fā)熱應(yīng)力的產(chǎn)生,其中激光光斑中處于壓應(yīng)力狀態(tài),而激光光斑前后處于拉應(yīng)力狀態(tài),由于脆性材料抗壓剛度遠(yuǎn)大于抗拉強(qiáng)度,當(dāng)拉應(yīng)力達(dá)到材料的斷裂強(qiáng)度時(shí),就會使材料發(fā)生斷裂,斷裂會隨著激光及后續(xù)冷卻的移動軌道穩(wěn)定擴(kuò)展,使其電池片斷裂,斷裂會隨著激光及后續(xù)冷卻的移動軌道穩(wěn)定展開,實(shí)現(xiàn)電池片的切割。
基于激光劃片技術(shù),現(xiàn)有的激光劃片設(shè)備包含傳輸裝置、傳感器、激光器、冷卻裝置、熱處理裝置等。電池片經(jīng)過傳輸裝置自動傳輸,激光器與冷卻裝置將電池片切割,后續(xù)熱處理裝置將殘余冷卻液蒸發(fā)清理。
現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足是:激光切割劃片后,新增側(cè)面為高表面復(fù)合區(qū),電池新增側(cè)面不進(jìn)行及時(shí)的鈍化修復(fù),會造成電池片的開路電壓以及轉(zhuǎn)化效率降低,最終的組件CTM值(組件輸出功率與電池片功率總和的百分比)較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法及其所用的設(shè)備,解決了相關(guān)技術(shù)中激光切割劃片后,新增側(cè)面為高表面復(fù)合區(qū),電池新增側(cè)面不進(jìn)行及時(shí)的鈍化修復(fù),會造成電池片的開路電壓以及轉(zhuǎn)化效率降低,最終的組件CTM值較低的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法,關(guān)鍵在于,所述方法包括以下步驟:
A、將待切割的電池片放置在傳輸裝置上,傳輸裝置將電池片向激光器方向輸送;
B、用激光器產(chǎn)生的激光切割電池片;
C、向電池片上噴灑鈍化液,電池片斷裂產(chǎn)生新側(cè)面,鈍化液流向新側(cè)面;
D、將新側(cè)面上的鈍化液吹干,形成鈍化層。
步驟B中,激光器的位置不動,新側(cè)面的長度方向與傳輸裝置的輸送方向相同。
一種晶體硅電池片切割分片鈍化方法所用的設(shè)備,所述設(shè)備包括用來承載并輸送電池片的傳輸裝置、以及設(shè)置在傳輸裝置上方的激光器,激光器的發(fā)射端朝向下方,設(shè)備還包括用來向電池片上噴灑鈍化液的噴涂裝置和用來將新側(cè)面上的鈍化液吹干的風(fēng)淋裝置,噴涂裝置的噴頭和風(fēng)淋裝置都位于傳輸裝置上方且噴頭位于激光器與風(fēng)淋裝置之間,噴頭的噴出口和風(fēng)淋裝置的出風(fēng)口都朝向下方。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





