[發明專利]用于處理基板的設備和用于處理基板的方法

在審

• 申請號: 202211097956.9
• 申請日: 2022-09-08
• 公開（公告）號: CN115776743A
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 崔倫碩;金潤相;丁宣旭
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H05B6/68
• 分類號: H05B6/68;H05B6/80
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;趙嫦

本發明構思提供了一種基板處理設備。在實施方式中，所述基板處理設備包括：處理室，在所述處理室中具有用于處理基板的處理空間；基板支撐單元，所述基板支撐單元被配置為在所述處理空間中支撐所述基板；以及微波施加單元，所述微波施加單元被配置為向所述處理空間施加微波，并且其中所述微波施加單元包括基于固態器件的微波功率發生器。

背景技術

本文描述的本發明構思的實施方式涉及一種基板處理設備和一種基板處理方法。

在基板處理過程中的基板加熱過程中，可以使用微波。通過使用磁控管來產生微波。在通過使用磁控管產生之后傳輸到基板的微波具有較差的溫度均勻性，因為在熱點與冷點之間存在較大的溫差。

發明內容

本發明構思的實施方式提供了一種用于高效地處理基板的基板處理設備和基板處理方法。

本發明構思的實施方式提供了一種相對于基板在一個腔室中執行等離子體處理和加熱處理的基板處理設備。

本發明構思的實施方式提供了一種相對于通過用微波加熱基板來處理基板具有高溫度均勻性的基板處理設備和基板處理方法。

本發明構思的技術目的不限于上述目的，并且根據以下描述，其他未提及的技術目的對于本領域技術人員而言將變得顯而易見。

本發明構思提供了一種基板處理設備。所述基板處理設備包括：處理室，在所述處理室中具有用于處理基板的處理空間；基板支撐單元，所述基板支撐單元被配置為在所述處理空間中支撐所述基板；以及微波施加單元，所述微波施加單元被配置為向所述處理空間施加微波，并且其中所述微波施加單元包括基于固態器件的微波功率發生器。

在實施方式中，所述固態器件包括氮化鎵(GaN)器件。

在實施方式中，所述微波功率發生器可以偏移或掃描所述微波的頻率。

在實施方式中，所述微波功率發生器能夠掃描具有在第一頻率與第二頻率之間的第一帶寬的微波，所述第二頻率高于所述第一頻率。

在實施方式中，所述微波功率發生器多次掃描具有所述第一帶寬的所述微波。

在實施方式中，所述微波功率發生器掃描具有在第一頻率與第二頻率之間的第一帶寬的微波，所述第二頻率高于所述第一頻率，并且多個模式的總和是加熱廓線(Heatingprofile)，并且其中根據所述處理空間的形狀以不同的數量確定所述多個模式。

在實施方式中，所述微波功率發生器掃描具有在第一頻率與第二頻率之間的第一帶寬的微波，所述第二頻率高于所述第一頻率，并且多個模式的總和是加熱廓線，并且其中根據所述第一帶寬的寬度以不同的數量確定所述多個模式。

在實施方式中，所述微波施加單元包括：板狀的微波天線，所述微波天線定位在所述基板支撐單元上方；介電板，所述介電板定位在所述微波天線的頂部和下方；以及天線桿，所述天線桿將在所述微波功率發生器處產生的微波傳輸到所述微波天線。

在實施方式中，所述微波施加單元充當用于將加熱能量傳輸到所述基板的加熱源。

在實施方式中，所述基板處理設備還包括用于將反應氣體供應到所述處理空間的氣體供應單元，并且其中微波施加單元充當用于將所述反應氣體激發成等離子體狀態的等離子體源。

本發明構思提供了一種基板處理設備。所述基板處理設備包括將基板支撐在處理室的處理空間中，以及用多個頻率掃描將微波施加到所述處理空間。

在實施方式中，由基于固態器件的微波功率發生器產生所述微波。

在實施方式中，所述固態器件包括氮化鎵(GaN)器件。

在實施方式中，所述微波的所述頻率掃描掃描具有在第一頻率與第二頻率之間的第一帶寬的微波，所述第二頻率高于所述第一頻率。