[發(fā)明專(zhuān)利]鍵合裝置及鍵合方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211097412.2
• 申請(qǐng)日: 2022-09-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115775722A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫鵬;劉爽;葉國(guó)梁;胡勝;宋勝金;占瓊;周俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/18;H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 顧丹麗

1.一種鍵合方法，其特征在于，包括：

提供第一承載膜和第二承載膜，所述第一承載膜上承載有多個(gè)芯片，所述第二承載膜上承載有晶圓；

采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分別遮蓋所述第一承載膜和所述第二承載膜，且所述第一遮蔽罩暴露出部分個(gè)所述芯片，所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圓的部分表面；

執(zhí)行等離子體清洗工藝，以對(duì)所述第一遮蔽罩暴露出的部分個(gè)所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圓的部分表面進(jìn)行激活；

將激活的部分個(gè)所述芯片鍵合于所述晶圓的激活的部分表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，在執(zhí)行等離子體清洗工藝之后且在將激活的部分個(gè)所述芯片鍵合于所述晶圓的激活的部分表面上之前，所述鍵合方法還包括：

去除所述第一遮蔽罩和所述第二遮蔽罩。

3.如權(quán)利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，所述第一遮蔽罩具有用于暴露出部分個(gè)所述芯片的第一開(kāi)口，所述第二遮蔽罩具有用于暴露出所述晶圓的部分表面的第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的暴露區(qū)域可調(diào)或固定。

4.如權(quán)利要求3所述的鍵合方法，其特征在于，所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的暴露區(qū)域可調(diào)，所述鍵合方法還包括：

調(diào)整所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的暴露區(qū)域，以使得所述第一開(kāi)口暴露出所述第一承載膜上的剩余區(qū)域的部分個(gè)所述芯片以及所述第二開(kāi)口暴露出所述第二承載膜上的剩余區(qū)域的所述晶圓的部分表面；

重復(fù)執(zhí)行等離子體清洗工藝以及將激活的部分個(gè)所述芯片鍵合于所述晶圓的激活的部分表面上的步驟；

所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的暴露區(qū)域固定，所述鍵合方法還包括：

采用新的所述第一遮蔽罩和所述第二遮蔽罩分別遮蓋所述第一承載膜和所述第二承載膜，新的所述第一遮蔽罩上的所述第一開(kāi)口暴露出所述第一承載膜上的剩余區(qū)域的部分個(gè)所述芯片，新的所述第二遮蔽罩上的所述第二開(kāi)口暴露出所述第二承載膜上的剩余區(qū)域的所述晶圓的部分表面；

重復(fù)執(zhí)行等離子體清洗工藝以及將激活的部分個(gè)所述芯片鍵合于所述晶圓的激活的部分表面上的步驟。

5.如權(quán)利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，所述第一承載膜的邊緣設(shè)置有第一固定環(huán)，所述第一固定環(huán)環(huán)繞所述多個(gè)芯片；所述第二承載膜的邊緣設(shè)置有第二固定環(huán)，所述第二固定環(huán)環(huán)繞所述晶圓。

6.如權(quán)利要求5所述的鍵合方法，其特征在于，所述第一遮蔽罩的邊緣與所述第一固定環(huán)連接，所述第二遮蔽罩的邊緣與所述第二固定環(huán)連接。

7.一種鍵合裝置，其特征在于，包括：

第一承載膜和第二承載膜，所述第一承載膜上承載有多個(gè)芯片，所述第二承載膜上承載有晶圓；

第一遮蔽罩和第二遮蔽罩，分別用于遮蓋所述第一承載膜和所述第二承載膜，且所述第一遮蔽罩暴露出部分個(gè)所述芯片，所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圓的部分表面；

等離子體清洗單元，用于對(duì)所述第一遮蔽罩暴露出的部分個(gè)所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圓的部分表面進(jìn)行激活；

鍵合單元，用于將激活的部分個(gè)所述芯片鍵合于所述晶圓的激活的部分表面上。

8.如權(quán)利要求7所述的鍵合裝置，其特征在于，所述第一遮蔽罩具有用于暴露出部分個(gè)所述芯片的第一開(kāi)口，所述第二遮蔽罩具有用于暴露出所述晶圓的部分表面的第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的暴露區(qū)域可調(diào)或固定。

9.如權(quán)利要求7所述的鍵合裝置，其特征在于，所述第一承載膜的邊緣設(shè)置有第一固定環(huán)，所述第一固定環(huán)環(huán)繞所述多個(gè)芯片；所述第二承載膜的邊緣設(shè)置有第二固定環(huán)，所述第二固定環(huán)環(huán)繞所述晶圓。

10.如權(quán)利要求9所述的鍵合裝置，其特征在于，所述第一遮蔽罩的邊緣與所述第一固定環(huán)連接，所述第二遮蔽罩的邊緣與所述第二固定環(huán)連接。