[發明專利]基板處理設備、基板處理裝備、及基板處理方法在審
| 申請號: | 202211097366.6 | 申請日: | 2022-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN115775753A | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發明(設計)人: | 鄭星哲;韓相福 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 裝備 方法 | ||
1.一種用于處理基板的設備,所述設備包括:
多個熱處理腔室;及
多個傳感器,所述多個傳感器配置為判定所述多個熱處理腔室是否安裝。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述多個傳感器的數目對應于所述多個熱處理腔室的數目。
3.根據權利要求2所述的設備,其中所述多個傳感器是B型接觸式傳感器。
4.根據權利要求3所述的設備,其中所述多個傳感器在安裝所述多個熱處理腔室時關閉,且所述多個傳感器在移除所述多個熱處理腔室時打開。
5.根據權利要求3所述的設備,所述設備進一步包括:
控制器,所述控制器配置為基于所述多個傳感器的多個測量結果產生用于讀取更換的熱處理腔室的信息的信號。
6.根據權利要求5所述的設備,所述設備進一步包括:
分別附著于所述多個熱處理腔室并包括所述多個熱處理腔室的信息的多個第一碼;及
包括關于所述多個熱處理腔室所附接的多個位置的信息的多個第二碼。
7.根據權利要求6所述的設備,其中當所述控制器產生所述信號時,由配置為識別所述多個第一碼及所述多個第二碼的掃描裝置來掃描所述更換的熱處理腔室的所述信息。
8.根據權利要求5所述的設備,其中所述控制器與所述多個熱處理腔室通過多個輸入輸出觸點來連接。
9.一種用于處理基板的裝備,所述裝備包括:
第一基板處理設備,所述第一基板處理設備包括多個第一熱處理腔室;及
第二基板處理設備,所述第二基板處理設備包括多個第二熱處理腔室,
其中所述第一基板處理設備進一步包括多個第一傳感器,所述多個第一傳感器配置為判定所述多個第一熱處理腔室是否安裝,
其中所述第二基板處理設備進一步包括多個第二傳感器,所述多個第二傳感器配置為判定所述多個第二熱處理腔室是否安裝,且
其中所述裝備進一步包括儲存服務器,所述儲存服務器配置為收集及儲存包括于所述第一基板處理設備及所述第二基板處理設備中的所述多個第一熱處理腔室及所述多個第二熱處理腔室的全部信息。
10.根據權利要求9所述的裝備,其中所述多個第一傳感器的數目對應于所述多個第一熱處理腔室的數目,且
其中所述多個第二傳感器的數目對應于所述多個第二熱處理腔室的數目。
11.根據權利要求10所述的裝備,其中所述多個第一傳感器及所述多個第二傳感器是B型接觸式傳感器。
12.根據權利要求11所述的裝備,其中所述第一基板處理設備進一步包括第一控制器,所述第一控制器配置為基于所述多個第一傳感器的多個測量結果產生用于讀取更換的第一熱處理腔室的信息的第一信號,且
其中所述第二基板處理設備進一步包括第二控制器,所述第二控制器配置為基于所述多個第二傳感器的多個測量結果產生用于讀取更換的第二熱處理腔室的信息的第二信號。
13.根據權利要求12所述的裝備,其中所述第一基板處理設備進一步包括:
分別附著于所述多個第一熱處理腔室并包括所述多個第一熱處理腔室的信息的多個第一碼;及
包括關于所述多個第一熱處理腔室所附接的多個位置的信息的多個第二碼,且
其中所述第二基板處理設備進一步包括:
分別附著于所述多個第二熱處理腔室并包括所述多個第二熱處理腔室的信息的多個第一碼;及
包括關于所述多個第二熱處理腔室所附接的多個位置的信息的多個第二碼。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





