[發明專利]一種直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法在審
| 申請號: | 202211096278.4 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115824849A | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發明(設計)人: | 李祥龍;黃武虎;李光全;左庭;李在利;武永博;段應明;王建國;侯德峰;張智宇;黃永輝;李洪超;劉代源;巴懷強 | 申請(專利權)人: | 昆明理工大學;玉溪礦業有限公司 |
| 主分類號: | G01N3/307 | 分類號: | G01N3/307;G01N3/06 |
| 代理公司: | 天津煜博知識產權代理事務所(普通合伙) 12246 | 代理人: | 朱維 |
| 地址: | 650093 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直切槽 半圓 盤巖樣 動態 斷裂 韌度 光學 測試 方法 | ||
1.一種直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于,具體步驟如下:
(1)利用紫外光填充應力發光薄膜10min以上,靜置至余輝釋放減弱;然后,測定不同應力作用下應力發光薄膜的發光強度,繪制發光強度-應力曲線,擬合后得到發光強度-應力函數表達式;
(2)將應力發光薄膜粘覆在直切槽半圓盤巖樣表面;
(3)校檢動態應力平衡,調整至入射桿端面應力和反射桿端面應力重合;
(4)將步驟(2)粘覆有應力發光薄膜的直切槽半圓盤巖樣夾在入射桿和透射桿之間,試件預制裂紋與支撐件平行且位于兩個支撐件中心;
(5)利用紫外光填充應力發光薄膜10min以上,靜置至余輝釋放減弱;
(6)調節氣缸壓力,發射撞擊桿,巖樣在受到沖擊作用后發生破碎,測量測量應力發光薄膜整個過程的發光強度,記錄最大發光強度;
(7)根據步驟(1)的發光強度-應力函數表達式和步驟(6)測量的最大發光強度,計算出巖樣受到的最大加載力,求解出最大加載力對應的應力強度因子即為巖樣的動態斷裂韌度。
2.根據權利要求1所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:步驟(1)中應力發光薄膜的制備方法,具體步驟如下:
1)將SrCO3、Al2O3、Eu2O3和HBO3研磨混勻得到混合粉,混合粉經焙燒、冷卻、研磨得到應力發光熒光粉;
2)將應力發光熒光粉、聚二甲基硅氧烷和固化劑混勻得到混合漿料,混合漿料均勻涂敷在試件表面,烘干得到應力發光薄膜。
3.根據權利要求2所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:步驟1)中SrCO3、Al2O3、Eu2O3的摩爾比為1:1.8~2.2:0.01~0.03,HBO3占前述三種物質總質量的2%~3%。
4.根據權利要求2所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:步驟1)中焙燒溫度為1250~1350℃,焙燒時間為2~5h。
5.根據權利要求2所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:步驟2)中應力發光熒光粉、聚二甲基硅氧烷和固化劑的質量比為1:1.5~2.5:0.1~0.3。
6.根據權利要求1所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:應力發光薄膜的厚度為1~2mm。
7.根據權利要求1所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:步驟(2)直切槽半圓盤巖樣直徑為30~50mm,厚度為15~25mm,預制裂紋寬度不大于1mm且位于圓盤中心線處。
8.根據權利要求1所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:支撐件直徑為2~3mm,2個支撐位置跨距是試樣半徑的1~1.6倍,兩個支撐件平行度不大于0.02mm且中心線與試驗桿軸心偏差不大于0.02mm。
9.根據權利要求1所述直切槽半圓盤巖樣動態斷裂韌度光學測試方法,其特征在于:紫外光波長為365nm。
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