[發(fā)明專利]一種寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料及其制備方法

在審

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• 申請日: 2022-09-08
• 公開（公告）號: CN115627381A
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝玉琳;宮得倫;李述軍;侯文韜;楊銳
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院金屬研究所
• 主分類號: C22C14/00
• 分類號: C22C14/00;C22F1/18
• 代理公司: 沈陽東大知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 21109
• 代理人: 馬海芳

1.一種寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，該寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料含有正交結(jié)構(gòu)α析出相，正交結(jié)構(gòu)α析出相的晶格有序度為0.3～0.6。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料在-269～50℃的范圍內(nèi)具備低電阻溫度系數(shù)，電阻溫度系數(shù)滿足：|TCR|≤100×ppm/K。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，所述的低電阻溫度系數(shù)通過調(diào)整正交結(jié)構(gòu)α析出相晶格有序度實現(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，包括的成分及各個成分的質(zhì)量百分比為：β穩(wěn)定元素為20～40％，中性元素為4～12％，α穩(wěn)定元素為0～5％，余量為Ti。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，所述的β穩(wěn)定元素為Nb、Ta、Mo、V至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，中性元素為Zr和/或Sn。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料，其特征在于，α穩(wěn)定元素為O。

8.權(quán)利要求1-7任意一項所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金進行時效處理，時效溫度：250～450℃，時效時間：5～180分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的寬溫域低電阻溫度系數(shù)的合金材料的制備方法，其特征在于，時效溫度：400℃，時效時間：60分鐘。