[發明專利]太陽能電池及光伏組件在審
| 申請號: | 202211091861.6 | 申請日: | 2022-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN115377228A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 毛杰;徐孟雷;鄭霈霆;楊潔;張昕宇 | 申請(專利權)人: | 晶科能源(海寧)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0288 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:
基底(10);
依次設置在所述基底(10)背表面的隧穿層(121)、場鈍化層(122)、第一鈍化膜(123)以及穿透所述第一鈍化膜(123)與所述場鈍化層(122)形成接觸的第一電極(124);
其中,所述基底(10)、所述隧穿層(121)和所述場鈍化層(122)均包括相同的第一摻雜元素,且所述第一摻雜元素在所述隧穿層(121)中的摻雜濃度小于所述第一摻雜元素在所述場鈍化層(122)中的摻雜濃度,所述第一摻雜元素在所述隧穿層(121)中的摻雜濃度大于所述第一摻雜元素在所述基底(10)中的摻雜濃度;
所述場鈍化層(122)包括第一摻雜區和第二摻雜區,所述第二摻雜區相對于所述第一摻雜區靠近所述隧穿層(121);其中,所述第一摻雜區的摻雜曲線斜率大于所述第二摻雜區的摻雜曲線斜率;所述第一摻雜元素經退火激活后得到激活的第一摻雜元素;所述摻雜曲線斜率為激活的第一摻雜元素的摻雜濃度隨摻雜深度變化的曲線的斜率;
在所述基底(10)上表面指向所述基底(10)背表面的方向上,所述基底(10)包括第一區、第二區和第三區;其中,所述第二區位于所述第一區和所述第三區之間;所述第一區相對于所述第二區靠近所述基底(10)的上表面,所述第三區相對于所述第二區靠近所述基底(10)的背表面;
第二摻雜元素在所述第二區的摻雜濃度以及所述第二摻雜元素在所述第三區的摻雜濃度均小于所述第二摻雜元素在所述第一區的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,在所述基底(10)背表面朝向所述基底(10)內部的過程中,所述基底(10)的摻雜曲線斜率逐漸增大并趨于穩定。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,所述基底(10)的摻雜曲線斜率的小于或等于所述第二摻雜區的摻雜曲線斜率的平均值。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述激活的第一摻雜元素在所述場鈍化層(122)中的摻雜濃度為1×1020atom/cm3~5×1020atom/cm3;
所述第一摻雜元素在所述場鈍化層(122)中的激活率為50%~70%;所述激活率為所述激活的第一摻雜元素的摻雜濃度與總注入的所述第一摻雜元素的濃度的比值。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,在所述隧穿層(121)朝向所述基底(10)的方向上,所述隧穿層(121)中的摻雜曲線斜率逐漸減小。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一摻雜區的摻雜曲線斜率為5×1018~1×1019;所述第二摻雜區的摻雜曲線斜率為-5×1018~5×1018。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,所述隧穿層(121)的摻雜曲線斜率為-2.5×1019~-2.5×1018;所述基底(10)的摻雜曲線斜率為-2.5×1019~0。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,在垂直于所述基底(10)的表面的方向上,所述場鈍化層(122)的厚度為60nm~130nm,所述隧穿層(121)的厚度為0.5nm~3nm。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,還包括:依次設置在所述基底(10)上表面第二鈍化膜(112)以及穿透所述第二鈍化膜(112)的第二電極(114)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于晶科能源(海寧)有限公司,未經晶科能源(海寧)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211091861.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種張量卷積核加速芯片及方法
- 下一篇:一種齒輪傳動變速裝置和變速箱
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





