[發明專利]支持hPSCs體外貼壁和長期培養的變體多肽及其設計與應用在審
| 申請號: | 202211091599.5 | 申請日: | 2022-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN116162150A | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發明(設計)人: | 周平;秦麗穎;李生振;張瑞 | 申請(專利權)人: | 蘭州大學 |
| 主分類號: | C07K14/78 | 分類號: | C07K14/78;C12N5/10 |
| 代理公司: | 青島致嘉知識產權代理事務所(普通合伙) 37236 | 代理人: | 王巧麗 |
| 地址: | 730000 甘肅*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支持 hpscs 體外 長期 培養 變體 多肽 及其 設計 應用 | ||
1.一種設計支持hPSCs體外貼壁和長期培養的變體多肽的方法,其特征在于,該方法為以序列如SEQ?ID?NO:1所述的VN多肽為對象進行變體設計以得到所述變體多肽,所述變體的內容選自以下任意一項:
(1)由在VN多肽的氨基酸序列中發生1個或多個氨基酸的缺失、取代、插入和/或添加而得的氨基酸序列組成、且具有支持人多能干細胞生長功能的多肽;
(2)由與VN多肽的氨基酸序列具有70%以上的氨基酸同源性的氨基酸序列組成、且具有與VN多肽等同功能的多肽;
(3)由在嚴格條件下與編碼VN多肽的氨基酸序列的核酸雜交的核酸編碼、且具有與VN多肽等同功能的多肽。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述與多肽A等同功能具體為:在含RGD多肽對所述VN多肽替換時,具有至少一項以下功能:
(i)誘導人體細胞重編程為人多能干細胞,
(ii)使人多能干細胞貼壁,和/或
(iii)使人多能干細胞長期自我更新。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在第(1)點中,所述取代為保守取代,即將特定的氨基酸殘基替換為具有相似物理化學特征的殘基,保守取代的非限定性例子包括含脂肪族基團氨基酸殘基之間的取代、極性殘基之間的取代。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在第(2)點中,所述氨基酸同源性為99%以上。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在第(3)點中,所述嚴格條件是指形成所謂的特異性雜合體并且不形成非特異性雜合體的條件。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在第(1)點中,所述由在VN多肽的氨基酸序列中發生1個或多個氨基酸的缺失、取代、插入和/或添加而得的氨基酸序列組成具體為:采用親水性最強的氨基酸R和疏水性最強的氨基酸I對VN多肽中RGD的前段和/或后段氨基酸序列進行氨基酸的取代、插入和/或添加。
7.支持hPSCs體外貼壁和長期培養的變體多肽,其特征在于,所述變體多肽選自以下任意序列:
Ac-KGGPQVTRGDVFTPI;
Ac-KGGRQRTRGDVFTMP;
Ac-KGGPIVIRGDVFTMP;
Ac-KGGPQVTRGDRRTRR;
Ac-KGGPQVTRGDVFIMP;
Ac-KGGPQVTRGDVFRMP;
Ac-KGGRQRTRGDVFRMP。
8.如權利要求7所述的變體多肽,其特征在于,所述變體多肽為:
Ac-KGGPQVTRGDVFRMP;
Ac-KGGRQRTRGDVFTMP;
Ac-KGGRQRTRGDVFRMP。
9.一種權利要求1所述的變體多肽修飾的PDA-CMC培養表面。
10.權利要求9所述的培養表面在人多能干細胞體外培養中的應用。
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