[發(fā)明專利]一種芯片測(cè)試方法及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211090910.4 | 申請(qǐng)日: | 2022-09-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115184781B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 充志陽;王少虎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京芯馳半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28;G01R1/04 |
| 代理公司: | 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金雙 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 測(cè)試 方法 系統(tǒng) | ||
一種芯片測(cè)試方法,其包括:通過JTAG接口對(duì)連接測(cè)試端和系統(tǒng)級(jí)芯片的測(cè)試接口進(jìn)行使能,其中,測(cè)試接口包括:通過JTAG管腳與系統(tǒng)級(jí)芯片連接的JTAG接口和通過通用輸入輸出管腳與系統(tǒng)級(jí)芯片連接的通用輸入輸出接口;經(jīng)由通用輸入輸出接口同時(shí)向系統(tǒng)級(jí)芯片發(fā)送多組測(cè)試向量數(shù)據(jù),以對(duì)系統(tǒng)級(jí)芯片的多個(gè)片內(nèi)資源同時(shí)進(jìn)行測(cè)試;響應(yīng)多個(gè)片內(nèi)資源的執(zhí)行結(jié)果,并同時(shí)經(jīng)由通用輸入輸出接口向測(cè)試端輸出多組測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù),多組測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于多組測(cè)試向量數(shù)據(jù)。本申請(qǐng)還提供一種芯片測(cè)試系統(tǒng),可以提高測(cè)試速度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體的芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種芯片測(cè)試方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
芯片的ATE(Automatic Test Equipment,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備)測(cè)試是芯片生產(chǎn)的一個(gè)重要環(huán)節(jié),主要用于篩選合格強(qiáng)壯的芯片,剔除那些在生產(chǎn)過程中由于工藝原因產(chǎn)生劣片。如今電路在芯片內(nèi)的集成規(guī)模越來越大,而工藝制程卻越來越小,測(cè)試量與測(cè)試難度上升,芯片的測(cè)試成本越來越高,跟隨芯片設(shè)計(jì)的革新而改進(jìn)ATE測(cè)試方法可以有效解決此類問題,提高測(cè)試效率,降低測(cè)試成本。
傳統(tǒng)的ATE與待測(cè)芯片是使用JTAG(Joint Test Action Group,聯(lián)合測(cè)試工作組)作為通訊方式的,而JTAG屬于一種串行總線的端口,在同樣的芯片性能情況下,相比于并行端口,其測(cè)試效率肯定是較低的,且JTAG需要在芯片內(nèi)根據(jù)需求插入JTAG鏈來完成相應(yīng)的目標(biāo)功能,占用了較多的片內(nèi)資源。
傳統(tǒng)芯片利用JTAG測(cè)試的方法存在接口速度低(通常JTAG頻率為10MHZ~100MHZ),效率慢,且需要較多額外的片內(nèi)資源(JTAG鏈)等的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本申請(qǐng)的目的在于提供一種芯片測(cè)試方法及其系統(tǒng),可以提高測(cè)試速度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)?zhí)峁┑男酒瑴y(cè)試方法,包括,
通過JTAG接口對(duì)連接測(cè)試端和系統(tǒng)級(jí)芯片的測(cè)試接口進(jìn)行使能,其中,所述測(cè)試接口包括:通過JTAG管腳與所述系統(tǒng)級(jí)芯片連接的所述JTAG接口和通過通用輸入輸出管腳與所述系統(tǒng)級(jí)芯片連接的通用輸入輸出接口;
經(jīng)由所述通用輸入輸出接口同時(shí)向所述系統(tǒng)級(jí)芯片發(fā)送多組測(cè)試向量數(shù)據(jù),以對(duì)所述系統(tǒng)級(jí)芯片的多個(gè)片內(nèi)資源同時(shí)進(jìn)行測(cè)試;
響應(yīng)多個(gè)所述片內(nèi)資源的執(zhí)行結(jié)果,并同時(shí)經(jīng)由所述通用輸入輸出接口向所述測(cè)試端輸出多組測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù),所述多組測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于所述多組測(cè)試向量數(shù)據(jù)。
進(jìn)一步地,所述通過JTAG接口對(duì)連接測(cè)試端和系統(tǒng)級(jí)芯片的測(cè)試接口進(jìn)行使能的步驟,還包括:
對(duì)用于控制所述系統(tǒng)級(jí)芯片的啟動(dòng)方式的預(yù)留的兩個(gè)管腳進(jìn)行上電,以使兩個(gè)所述管腳處于高電平或低電平的狀態(tài),以使所述系統(tǒng)級(jí)芯片進(jìn)入測(cè)試模式;
利用所述JTAG接口控制所述系統(tǒng)級(jí)芯片內(nèi)的一位寄存器,以使所述寄存器置位,進(jìn)而使所述測(cè)試接口被使能。
進(jìn)一步地,所述經(jīng)由所述通用輸入輸出接口同時(shí)向所述系統(tǒng)級(jí)芯片發(fā)送多組測(cè)試向量數(shù)據(jù),以對(duì)所述系統(tǒng)級(jí)芯片的多個(gè)片內(nèi)資源同時(shí)進(jìn)行測(cè)試的步驟,還包括:
搭建與所述系統(tǒng)級(jí)芯片對(duì)應(yīng)的仿真環(huán)境,并將芯片驗(yàn)證代碼轉(zhuǎn)換成所述測(cè)試接口的代碼進(jìn)行模塊仿真,以得到所述測(cè)試接口的仿真波形,基于所述仿真波形生成多組所述測(cè)試向量數(shù)據(jù);
通過所述通用輸入輸出接口及所述系統(tǒng)級(jí)芯片的片內(nèi)總線向所述系統(tǒng)級(jí)芯片的多個(gè)所述片內(nèi)資源分別傳輸多組所述測(cè)試向量數(shù)據(jù),所述測(cè)試接口具有所述片內(nèi)總線的超級(jí)權(quán)限。
進(jìn)一步地,所述響應(yīng)多個(gè)所述片內(nèi)資源的執(zhí)行結(jié)果,并同時(shí)經(jīng)由所述通用輸入輸出接口向所述測(cè)試端輸出多組測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù),所述多組測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于所述多組測(cè)試向量數(shù)據(jù)的步驟,還包括:
通過所述片內(nèi)總線接收多個(gè)所述片內(nèi)資源的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù);
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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