[發(fā)明專利]一種flash器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211087770.5
• 申請(qǐng)日: 2022-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN115458529A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉春文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L27/115;H01L27/11517
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種flash器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

步驟一、提供基體，所述基體包含多個(gè)通孔，依附在所述通孔側(cè)壁的側(cè)墻；填充于所述通孔內(nèi)的鎢，所述鎢的頂部形狀為V字型；位于所述相鄰兩個(gè)通孔之間的多晶硅，位于所述多晶硅上的氮化硅；所述多晶硅以及所述氮化硅上覆蓋有介質(zhì)層；所述通孔中鎢的頂部距離其兩側(cè)的所述介質(zhì)層的上方存在間隙；

步驟二、在所述基體上通過含硅前驅(qū)物和含氧前驅(qū)物沉積一層氧化硅介質(zhì)層以填充鎢的所述V字型頂部以及所述間隙；

步驟三、對(duì)所述氧化硅介質(zhì)層的頂部進(jìn)行CMP，直至露出所述氮化硅頂部為止。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中通過PECVD制程工藝在所述基體上沉積所述氧化硅介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中所述含硅前驅(qū)物為TEOS。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中所述含氧后驅(qū)物為氧氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中的所述TEOS的流量為4500～5500sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中的所述氧氣的流量為4000～5000sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中在溫度為400℃，能量為700-800W，壓力為4～6T的環(huán)境下沉積所述氧化硅介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash器件的制造方法，其特征在于：步驟二中沉積的所述含氧介質(zhì)層的厚度為2500～3500埃。