[發(fā)明專利]一種高效選擇性摻雜電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211087529.2 | 申請日: | 2022-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN115566093A | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張三洋;陶俊;邵玉林 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫琨圣智能裝備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0747 | 分類號: | H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司: | 無錫蘇元專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 吳忠義 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高效 選擇性 摻雜 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種高效選擇性摻雜電池,其特征在于所述選擇性摻雜電池由下至上分別包括n型硅片(1)、摻硼非晶硅層(2)、AL2O3層(3)和SiNx鈍化減反射層(4),金屬電極(5)通過選擇性摻雜發(fā)射極(6)與n型硅片(1)相導通。
2.一種如權(quán)利要求1所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于所述方法包括:
(1)制絨;
(2)等離子體增強化學氣相沉積法摻硼非晶硅:在四氫化硅:氫氣:硼烷流量比為1:(1-6):(0.1-1),溫度為200-600℃下,經(jīng)過射頻電源將氣體離子化后沉積在硅片表面形成摻硼非晶硅薄膜,壓力為5-300pa,沉積時間為1-60min,薄膜厚度為5-300nm;
(3)激光選擇性摻雜發(fā)射極:通過激光在電極柵線處對硼原子的推進處理,在電極柵線區(qū)得到選擇性摻雜發(fā)射極,激光波長為50-1200nm,時間為0.1-20s;
(4)退火激活:退火溫度為650-1100℃,退火時間為10-200min;
(5)背面拋光;
(6)背面隧穿氧化層/摻磷多晶硅制備;
(7)去磷硅玻璃表面繞鍍清洗;
(8)正面AL2O3沉積;
(9)正反面SiNx沉積;
(10)絲網(wǎng)印刷燒結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(1)中制絨的工藝溫度為78-85℃,n型硅片在KOH和制絨添加劑的混合溶液下反應(yīng)400-700s。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(2)中所述硼烷為甲硼烷或乙硼烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(5)中采用氫氟酸清洗n型硅片背面退火激活后產(chǎn)生的氧化層,再進行拋光處理,拋光處理后反射率為20%以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(6)中通過氣相沉積法制備0.5-2nm厚度的SiO2層,通過磷擴散制備摻磷多晶硅層,所述摻磷多晶硅厚度為50-300nm,優(yōu)選為80-130nm,形成SiO2/摻磷多晶硅的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(8)中通過原子層沉積法在硅片正面沉積5-30nm厚度的AL2O3層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(9)中通過等離子體增強化學氣相沉積法在硅片正反面分別沉積70-120nm厚度的SiNx鈍化減反射膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效選擇性摻雜電池的制備方法,其特征在于:步驟(10)中通過印刷燒結(jié)方式在電池表面制備金屬電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





