[發明專利]半導體結構及其制作方法、半導體器件

在審

• 申請號: 202211086213.1
• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115394709A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 葉李欣;楊弘
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28;H01L23/538;H01L29/423
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝

本公開涉及一種半導體結構及其制作方法、半導體器件。其中，半導體結構的制作方法，包括：提供一基底，所述基底具有多個有源區；刻蝕所述有源區，以在所述有源區內形成字線溝道；在所述字線溝道的側壁和底壁上均生長外延硅，并對所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源區進行氧化以形成柵極氧化層，所述柵極氧化層圍成字線接觸孔；在所述字線接觸孔內形成字線結構。通過該半導體結構的制作方法制作出的半導體結構能夠減小相鄰兩個字線結構之間以及字線結構與有源區之間的漏電概率，還能夠減小字線結構的線寬并提高字線結構的密度。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制作方法、半導體器件。

背景技術

在半導體技術領域中，隨著半導體結構尺寸的不斷微縮，其就要求掩埋字線結構的密度越來越高，也就使得相鄰兩個字線結構之間的距離需要不斷的進行縮小，這就使得相鄰兩個字線結構之間以及字線結構與有源區之間的漏電概率大幅度增加。

同時，為了提高掩埋字線結構的密度，也需要減小掩埋字線結構的線寬，這是也是本領域急需解決的技術問題。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種半導體結構及其制作方法、半導體器件。通過該半導體結構的制作方法制作出的半導體結構能夠減小相鄰兩個字線結構之間以及字線結構與有源區之間的漏電概率，還能夠減小字線結構的線寬。

本公開一方面提供了一種半導體結構的制作方法，包括：

提供一基底，所述基底具有多個有源區；

刻蝕所述有源區，以在所述有源區內形成字線溝道；

在所述字線溝道的側壁和底壁上均生長外延硅，并對所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源區進行氧化以形成柵極氧化層，所述柵極氧化層圍成字線接觸孔；

在所述字線接觸孔內形成字線結構。

在本公開的一個示例性實施例中，所述半導體結構的制作方法還包括：

在所述有源區內形成鈍化層，并使得所述鈍化層位于所述柵極氧化層遠離所述有源區的表面的一側。

在本公開的一個示例性實施例中，所述基底的材料包括硅；所述在所述有源區內形成鈍化層，并使得所述鈍化層位于所述柵極氧化層遠離所述有源區的表面的一側，包括：

在部分所述有源區內植入氧離子以形成氧離子層，并使得所述氧離子層位于所述柵極氧化層遠離所述有源區表面的一側；

使所述氧離子層與所述有源區內的硅進行反應，以形成所述鈍化層。

在本公開的一個示例性實施例中，所述對所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源區進行氧化以形成柵極氧化層，包括：

利用原位水汽氧化工藝對所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源區進行氧化，以將所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源區內的硅氧化為二氧化硅以構成所述柵極氧化層。

在本公開的一個示例性實施例中，所述使所述氧離子層與所述有源區內的硅進行反應，以形成所述鈍化層，包括：

在利用原位水汽氧化工藝對所述外延硅進行氧化的同時，利用所述原位水汽氧化工藝所帶有的熱量使所述氧離子層內的氧離子與所述有源區內的硅進行反應形成二氧化硅以構成鈍化層。

在本公開的一個示例性實施例中，刻蝕所述有源區之前，所述半導體結構的制作方法，還包括：

在所述基底內形成源漏區和溝道區，并使得所述溝道區位于所述氧離子層的表面，且使得所述源漏區位于所述溝道區的表面。