[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211085030.8
• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115513223A
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 艾飛;宋德偉;龍時宇
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底；

有源層，設(shè)于所述基底的一側(cè)；

柵極絕緣層，設(shè)于所述基底上且覆蓋所述有源層；以及

柵極層，設(shè)于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且呈包裹狀設(shè)于所述有源層的外部，位于所述有源層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)以及與所述有源層的長條延伸方向相垂直一側(cè)的兩個側(cè)面處。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

定義所述有源層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)面為第一側(cè)面，定義與所述有源層的長條延伸方向相垂直一側(cè)的兩個側(cè)面為第二側(cè)面；

所述柵極層包括：

第一柵極部，位于所述有源層的所述第一側(cè)面的外部；以及

第二柵極部，設(shè)于所述有源層的所述第二側(cè)面的外部。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一柵極部與所述第二柵極部相互垂直設(shè)置，所述第一柵極部連接至所述第二柵極部。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括：

多晶硅區(qū)，位于所述有源層的中心區(qū)域內(nèi)；

輕摻雜漏區(qū)，兩個所述輕摻雜漏區(qū)分別設(shè)于所述多晶硅區(qū)的兩側(cè)；以及

導(dǎo)體區(qū)，兩個所述導(dǎo)體區(qū)分別設(shè)于兩個所述輕摻雜漏區(qū)遠(yuǎn)離所述多晶硅區(qū)的一側(cè)。

5.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一柵極部覆蓋所述有源層的多晶硅區(qū)，所述第一柵極部的長度延伸方向且與所述有源層的長度延伸方向相垂直。

6.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二柵極部覆蓋所述有源層的多晶硅區(qū)以及部分輕摻雜漏區(qū)；

在所述有源層的長度延伸方向上，所述第二柵極部的寬度大于所述第一柵極部的寬度。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基底包括：

玻璃基板；

遮光層，設(shè)于所述玻璃基板的一側(cè)，且所述遮光層與所述有源層相對設(shè)置；以及

緩沖層，設(shè)于所述玻璃基板的一側(cè)，并覆蓋所述遮光層；

其中，所述緩沖層具有平整部以及凸起部，所述凸起部凸出于所述平整部；所述有源層設(shè)于所述凸起部上。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極層還包括第三柵極部，與所述緩沖層的所述平整部相對設(shè)置；

所述柵極層在所述基底上的正投影為連續(xù)圖案。

9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，用以制備如權(quán)利要求1～8任一項所述的陣列基板；所述制備方法包括以下步驟：

提供一基底；

在所述基底上制備有源層；

在所述有源層以及所述基底上制備柵極絕緣層；以及

在所述柵極絕緣層上制備柵極層，其中所述柵極層位于所述有源層的上方以及與所述有源層的長條延伸方向相垂直一側(cè)的兩個側(cè)面處。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～8任一項所述的陣列基板。