[發明專利]改性聚合物膜的制備方法、改性聚合物膜及其用途

在審

• 申請號: 202211084772.9
• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115312786A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 朱中亞;王帥;夏建中;李學法;張國平
• 申請（專利權）人: 揚州納力新材料科技有限公司
• 主分類號: H01M4/66
• 分類號: H01M4/66;H01M10/02
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種改性聚合物膜，其特征在于，包括高分子聚合物基膜和表面改性層，所述表面改性層通過等離子體聚合法形成于所述高分子聚合物基膜的至少一個表面。

2.根據權利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述表面改性層的反應原料包括丙烯酸、丙烯腈、烯丙胺、乙二胺、正丙胺、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯以及它們的衍生物和共聚物中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述高分子聚合物基膜的材料包括聚丙烯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺以及它們的衍生物中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述高分子聚合物基膜的厚度為1μm以上。

5.根據權利要求1～4任一項所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述表面改性層的厚度為5～200nm。

6.如權利要求1～5任一項所述的改性聚合物膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：對所述高分子聚合物基膜的表面進行等離子體聚合改性，以在其至少一個表面形成所述表面改性層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，對所述高分子聚合物基膜的表面進行等離子體聚合改性時，通入氧氣和氬氣組成的混合氣體以及反應原料；

所述混合氣體轟擊所述高分子聚合物基膜的表面以提供反應活性位點，所述反應原料通過所述反應活性位點接枝于所述高分子聚合物基膜的表面，從而形成所述表面改性層。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，利用等離子體聚合裝置對所述高分子聚合物基膜的表面進行等離子體聚合改性；

所述等離子體聚合裝置包括射頻電源，所述射頻電源的頻率為3～30MHz；所述等離子體聚合裝置的功率為10～50W。

9.根據權利要求6～8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體聚合改性的反應時間為1～60min。

10.一種金屬化聚合物膜，其特征在于，包括金屬層以及權利要求1～5任一項所述的改性聚合物膜或權利要求6～9任一項所述的制備方法制得的改性聚合物膜，所述金屬層位于所述改性聚合物膜的至少一個表面改性層上；

可選地，所述金屬層的材料包括銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎳、鎳合金、鈦和銀中的一種或多種。

11.一種復合集流體，其特征在于，包括權利要求10所述的金屬化聚合物膜。

12.根據權利要求11所述的復合集流體，其特征在于，還包括保護層，所述保護層設置于所述金屬層的表面；

可選地，所述保護層的材料包括鎳、鉻、鎳基合金、銅基合金、氧化銅、氧化鋁、氧化鎳、氧化鉻、氧化鈷、石墨、炭黑、乙炔黑、科琴黑、碳納米量子點、碳納米管、碳納米纖維和石墨烯中的一種或多種；

可選地，所述保護層的厚度為10～200nm；

可選地，所述金屬層的厚度為300～2000nm。

13.一種電極極片，其特征在于，包括權利要求11或12所述的復合集流體。

14.一種電池，其特征在于，包括權利要求13所述的電極極片。

15.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求14所述的電池。