[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工設(shè)備及晶圓傳輸平臺(tái)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211084311.1
• 申請(qǐng)日: 2022-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN115692258A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周仁;吳飚;石帥;吳劉興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京市盈科律師事務(wù)所 11344
• 代理人: 張晶

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體加工設(shè)備及其晶圓傳輸平臺(tái)，晶圓傳輸平臺(tái)包括：平臺(tái)本體，所述平臺(tái)本體上設(shè)置有用于晶圓抓取的機(jī)械手；拓展腔，所述拓展腔為至少一個(gè)，且所述拓展腔位于所述平臺(tái)本體的旁側(cè)，并通過連接件可拆卸地安裝于所述平臺(tái)本體，所述拓展腔與所述平臺(tái)本體構(gòu)成平臺(tái)區(qū)；反應(yīng)腔組，所述反應(yīng)腔組為多組，且各反應(yīng)腔組分設(shè)于所述平臺(tái)區(qū)的外周。在某個(gè)或者某些反應(yīng)腔出現(xiàn)故障時(shí)，可以選擇與之并列的其他反應(yīng)腔完成工作，而無需停機(jī)，不僅提高了晶圓加工效率，且降低了設(shè)備維護(hù)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備及晶圓傳輸平臺(tái)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的晶圓傳輸平臺(tái)中，每個(gè)平臺(tái)只能夠搭配單一規(guī)格、數(shù)量固定的反應(yīng)腔。而半導(dǎo)體加工時(shí)，根據(jù)產(chǎn)品的類型，所需要的反應(yīng)腔大小均有所差異，單一反應(yīng)腔無法滿足通用性要求。并且，當(dāng)某一反應(yīng)腔出現(xiàn)故障，需要對(duì)整個(gè)平臺(tái)進(jìn)行停機(jī)檢修或設(shè)備更換，不僅影響晶圓加工效率，且增加了設(shè)備維護(hù)成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備及晶圓傳輸平臺(tái)，以至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種晶圓傳輸平臺(tái)，包括：

平臺(tái)本體；

拓展腔，所述拓展腔為至少一個(gè)，且所述拓展腔位于所述平臺(tái)本體的旁側(cè)，并通過連接件可拆卸地安裝于所述平臺(tái)本體，所述拓展腔與所述平臺(tái)本體構(gòu)成平臺(tái)區(qū)；

反應(yīng)腔組，所述反應(yīng)腔組為多組，且各反應(yīng)腔組分設(shè)于所述平臺(tái)區(qū)的外周。

進(jìn)一步地，所述晶圓傳輸平臺(tái)還包括機(jī)械手，所述機(jī)械手設(shè)置于所述平臺(tái)本體或所述拓展腔中并且設(shè)置在腔體中遠(yuǎn)離中心的位置處。具體地，在本申請(qǐng)中，機(jī)械手可以設(shè)置在平臺(tái)本體和拓展腔構(gòu)成的組合腔體的一側(cè)，例如設(shè)置在腔體的左側(cè)、右側(cè)、上側(cè)或下側(cè)，或者設(shè)置在腔體的角落處。通過如此設(shè)置機(jī)械手的位置，能夠更好地避免機(jī)械手對(duì)于氣體流動(dòng)的干擾，進(jìn)而使得在腔體的抽真空和排氣及吹掃(清洗)過程中，進(jìn)氣和出氣通道更加順暢，從而將腔體的流場控制地更好，使得顆粒更少，腔體更清潔。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔組包括至少兩個(gè)反應(yīng)腔，兩個(gè)所述反應(yīng)腔相互獨(dú)立、且相鄰分布。

在兩個(gè)所述反應(yīng)腔相互獨(dú)立時(shí)，可以僅對(duì)其中的一個(gè)反應(yīng)腔進(jìn)行操作，也可以同時(shí)對(duì)兩個(gè)反應(yīng)腔進(jìn)行相同或者不同的操作，從而提高處理的靈活性。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔包括至少兩個(gè)相互獨(dú)立的腔室。

進(jìn)一步地，所述晶圓傳輸平臺(tái)還包括裝載腔。

進(jìn)一步地，所述裝載腔與平臺(tái)本體或拓展腔相連接，所述裝載腔設(shè)置于所述平臺(tái)本體的兩側(cè)或周圍，且/或，所述裝載腔設(shè)置于所述拓展腔的兩側(cè)或周圍。

進(jìn)一步地，所述拓展腔為一個(gè)，所述拓展腔設(shè)置于所述平臺(tái)本體的一側(cè)，具體地，可以設(shè)置在平臺(tái)本體的遠(yuǎn)離裝載腔的一端。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔組為四組，其中，兩組所述反應(yīng)腔組分設(shè)于所述拓展腔的兩側(cè)，另外兩組所述反應(yīng)腔分設(shè)于所述平臺(tái)本體的兩側(cè)。

進(jìn)一步地，所述拓展腔為兩個(gè)或更多個(gè)。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔組為五組，其中，五組所述反應(yīng)腔組中的兩組設(shè)置于所述平臺(tái)區(qū)的一側(cè)，五組所述反應(yīng)腔組中的另外兩組設(shè)置于所述平臺(tái)區(qū)的另一側(cè)，五組所述反應(yīng)腔組中最后一組所述平臺(tái)區(qū)遠(yuǎn)離所述裝載腔的一端。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔組為五組，其中，五組所述反應(yīng)腔組中的兩組分別設(shè)置于所述第一拓展腔的兩側(cè)，五組所述反應(yīng)腔組中的另外兩組分別設(shè)置于所述第二拓展腔的兩側(cè)，五組所述反應(yīng)腔組中最后一組設(shè)置于所述平臺(tái)本體的任意一側(cè)。