[發明專利]一種絲網印刷異常硅片的處理方法在審
| 申請號: | 202211082918.6 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115360269A | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發明(設計)人: | 何帥;付少劍;郁寅瓏;范洵;蔣鍇 | 申請(專利權)人: | 滁州捷泰新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L21/02;B08B1/00;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 黎雷 |
| 地址: | 239236 安徽省滁州市來*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 絲網 印刷 異常 硅片 處理 方法 | ||
1.一種絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述方法包括:
對絲網印刷異常硅片進行第一清洗工藝,去除表面的印刷漿料;
對去除印刷漿料的絲網印刷異常硅片進行第二清洗工藝,去除氮化硅減反射膜;
對去除氮化硅減反射膜的絲網印刷異常硅片進行制絨。
2.根據權利要求1所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述第一清洗工藝包括:
利用酒精擦拭所述絲網印刷異常硅片。
3.根據權利要求2所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述利用酒精擦拭所述絲網印刷異常硅片之后,所述第一清洗工藝還包括:
利用第一混合酸液對所述絲網印刷異常硅片進行清洗;
其中,所述第一混合酸液中包括鹽酸和硝酸。
4.根據權利要求3所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述利用第一混合酸液對所述絲網印刷異常硅片進行清洗之后,所述第一清洗工藝還包括:
對所述絲網印刷異常硅片進行鼓泡清洗。
5.根據權利要求1所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述第二清洗工藝包括:
利用氫氟酸對所述絲網印刷異常硅片進行清洗。
6.根據權利要求5所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述利用氫氟酸對所述絲網印刷異常硅片進行清洗之后,所述第二清洗工藝還包括:
利用第二混合酸液對所述絲網印刷異常硅片進行清洗;
其中,所述第二混合酸液中包括鹽酸和氫氟酸。
7.根據權利要求6所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述利用氫氟酸對所述絲網印刷異常硅片進行清洗之后,以及所述利用第二混合酸液對所述絲網印刷異常硅片進行清洗之前,所述第二清洗工藝還包括:
利用雙氧水和氫氧化鈉的混合液對所述絲網印刷異常硅片進行清洗。
8.根據權利要求1所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述對去除印刷漿料的絲網印刷異常硅片進行第二清洗工藝之后,所述方法還包括:
對所述絲網印刷異常硅片依次進行鼓泡清洗、脫水處理和烘干處理。
9.根據權利要求1所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述對絲網印刷異常硅片進行第一清洗工藝之前,所述方法還包括:
判斷所述絲網印刷異常硅片是否需要進行去膜清洗;
若需要,則對所述絲網印刷異常硅片進行所述第一清洗工藝,并在所述第一清洗工藝之后,對所述絲網印刷異常硅片進行所述第二清洗工藝;
若不需要,則對所述絲網印刷異常硅片進行所述第一清洗工藝,并在所述第一清洗工藝之后,對所述絲網印刷異常硅片進行印刷。
10.根據權利要求9所述的絲網印刷異常硅片的處理方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述絲網印刷異常硅片不需要進行去膜清洗的情況下,若對所述絲網印刷異常硅片進行所述第一清洗工藝的過程中,所述絲網印刷異常硅片產生劃傷,則在所述第一清洗工藝之后,對所述絲網印刷異常硅片進行所述第二清洗工藝。
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





