[發明專利]發光裝置及制造發光裝置的方法在審
| 申請號: | 202211081492.2 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115915808A | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | 金世勛;李昌熙;河在國;姜鎭求;具永謨;金英一;金志允 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/155 | 分類號: | H10K50/155;H10K50/165;H10K85/60;H10K71/12;H10K71/15 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 劉慧紅 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 制造 方法 | ||
1.發光裝置,包括:
襯底;
設置在所述襯底上的陰極;
面對所述陰極的陽極;以及
布置在所述陰極和所述陽極之間并且包括發射層的有機層,
其中,所述有機層包括:
布置在所述發射層和所述陰極之間的電子傳輸區域;以及
布置在所述發射層和所述陽極之間的空穴傳輸區域,
其中,所述空穴傳輸區域包括:包括由式1表示的第一重復單元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物、或其任何組合:
式1
式1-1
式2
N3-(Ar21)n21-(L21)a21-(Ar22)n22-N3
式5
N3-(Ar51)n51-(L51)a51-(Ar52)n52-N3
其中,在式1、式1-1、式2和式5中,
Ar11至Ar13、Ar21、Ar22、Ar51和Ar52各自獨立地為單鍵、未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60亞烷基、未被取代或被至少一個R10a取代的C2-C60亞烯基、未被取代或被至少一個R10a取代的C2-C60亞炔基、未被取代或被至少一個R10a取代的C3-C60碳環基團、或者未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60雜環基團,
n11至n13、n21、n22、n51和n52各自獨立地為從1至10的整數,
L11和L21各自獨立地為單鍵、*-C(R1a)(R1b)-*'、*-C(R1a)=*'、*=C(R1a)-*'、*-C(R1a)=C(R1b)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R1a)-*'、*-N(R1a)-*'、*-O-*'、*-P(R1a)-*'、*-Si(R1a)(R1b)-*'、*-P(=O)(R1a)-*'、*-S-*'、*-S(=O)-*'、*-S(=O)2-*'或*-Ge(R1a)(R1b)-*',
L51為由式1表示的第一重復單元,
a11、a21和a51各自獨立地為從1至20的整數,
R11為由式1-1表示的基團、未被取代或被至少一個R10a取代的C3-C60碳環基團、或者未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60雜環基團,
i)R12為與式1中的相鄰原子的結合位點,并且R13為氫,或ii)R12為氫,并且R13為與式1中的相鄰原子的結合位點,
R14、R15、R1a和R1b各自獨立地為氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60烷基、未被取代或被至少一個R10a取代的C2-C60烯基、未被取代或被至少一個R10a取代的C2-C60炔基、未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60烷氧基、未被取代或被至少一個R10a取代的C3-C60碳環基團、未被取代或被至少一個R10a取代的C1-C60雜環基團、未被取代或被至少一個R10a取代的C6-C60芳氧基、未被取代或被至少一個R10a取代的C6-C60芳硫基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)或-P(=O)(Q1)(Q2),
*和*'各自指示與相鄰原子的結合位點,
R10a為:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基或硝基;
C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基,它們各自未被取代或被以下取代:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C3-C60碳環基團、C1-C60雜環基團、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任何組合;
C3-C60碳環基團、C1-C60雜環基團、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基,它們各自為未被取代的或被以下取代:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳環基團、C1-C60雜環基團、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任何組合;或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)或-P(=O)(Q31)(Q32),并且
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自獨立地為:氫;氘;-F;-Cl;-Br;-I;羥基;氰基;硝基;C1-C60烷基;C2-C60烯基;C2-C60炔基;C1-C60烷氧基;或者C3-C60碳環基團或C1-C60雜環基團,它們各自未被取代或被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、聯苯基或其任何組合取代。
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