[發明專利]芯片封裝結構及制備方法有效
| 申請號: | 202211081389.8 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115172179B | 公開(公告)日: | 2022-12-13 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠;楊進 | 申請(專利權)人: | 盛合晶微半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 制備 方法 | ||
1.一種芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供基板;
于所述基板上鍵合芯片,且所述芯片與所述基板電連接;
于所述基板上形成虛擬芯片,所述虛擬芯片對稱分布于所述芯片兩側并與所述基板固定連接;
于所述芯片和所述虛擬芯片上形成圍壩結構,所述圍壩結構與所述芯片以及所述虛擬芯片之間密封固定連接,且所述圍壩結構具有顯露所述芯片和所述虛擬芯片的容置腔;
于所述容置腔內填充液態金屬以結合所述圍壩結構形成位于所述芯片以及所述虛擬芯片上的熱界面材料層;
于所述熱界面材料層上形成散熱部件,且所述散熱部件與所述圍壩結構密封固定連接。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述液態金屬的材質包括鎵、銦或錫中的一種。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述圍壩結構的材質為柔性材料,包括泡沫、PDMS或EPDM中的一種。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述散熱部件包括散熱蓋板或散熱元件,所述散熱元件包括散熱基座以及位于所述散熱基座上均勻排列的散熱翅片。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述圍壩結構與所述芯片通過紫外固化膠密封固定連接;所述圍壩結構與所述散熱部件通過紫外固化膠密封固定連接。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述基板包括晶圓級基板。
7.一種芯片封裝結構,其特征在于:所述芯片封裝結構包括:
基板;
芯片,所述芯片位于所述基板上且與所述基板電連接;
虛擬芯片,所述虛擬芯片與所述基板固定連接且對稱分布于所述芯片兩側;
熱界面材料層,包括圍壩結構和液態金屬,所述圍壩結構位于所述芯片以及所述虛擬芯片上并與所述芯片以及所述虛擬芯片密封固定連接,且所述圍壩結構具有顯露所述芯片以及所述虛擬芯片的容置腔,所述液態金屬位于所述容置腔內;
散熱部件,形成在所述熱界面材料層上,且所述散熱部件與所述圍壩結構密封固定連接。
8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構,其特征在于:所述散熱部件包括散熱蓋板或散熱元件,所述散熱元件包括散熱基座以及位于所述散熱基座上均勻排列的散熱翅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





