[發(fā)明專利]一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211081365.2
• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115159648A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設計）人: 徐建均;周同義
• 申請（專利權(quán)）人: 南通友拓新能源科技有限公司
• 主分類號: C02F1/52
• 分類號: C02F1/52;C02F103/34
• 代理公司: 安徽專燁知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34194
• 代理人: 王晶

1.一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置，其特征在于：包括下部設有錐形腔的沉淀筒（1）、嵌套安裝在沉淀筒（1）上部的絮凝筒（3）、向絮凝筒（3）內(nèi)加注絮凝劑的加注機構(gòu)、與沉淀筒（1）切向連通且呈方形筒狀的進水罩（2）、安裝在錐形腔內(nèi)并與絮凝筒（3）內(nèi)腔連通且下部開設有篩孔的回流罩（4）、與絮凝筒（3）上部連通并延伸至沉淀筒（1）上方的出水管（5）；

所述絮凝筒（3）包括與沉淀筒（1）內(nèi)壁固定連接的上端板（13）和下端板（14）、安裝在上端板（13）和下端板（14）之間并豎直設置的渦卷板（12）；所述渦卷板（12）與上端板（13）和下端板（14）之間形成有渦卷腔，渦卷腔的外端開口與進水罩（2）相對設置，渦卷腔中間腔體與回流罩（4）和出水管（5）連通，下端板（14）位于渦卷腔中間腔體位置處開設有連通錐形腔和渦卷腔的排渣口（1401）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述加注機構(gòu)包括結(jié)構(gòu)相同的第一加注機構(gòu)（6）和第二加注機構(gòu)（7），所述第一加注機構(gòu)包括下端延伸至渦卷腔內(nèi)的噴射管（8）、與噴射管（8）上端連通的連通管（9）、與連通管（9）連通且安裝在沉淀筒（1）頂板上的藥劑罐（10）以及安裝在連通管（9）上的閥門（11）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述渦卷腔下部嵌套有沿著渦卷腔走向設置的分割板（15），所述分割板（15）將渦卷腔分割為上渦卷腔（1201）和下渦卷腔（1202），分割板（15）上開設有沿著廢水流向方向傾斜設置的進渣口（1501）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述沉淀筒（1）上部呈圓筒狀且下部呈錐形筒狀，上端板（13）和下端板（14）均為圓盤狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述回流罩（4）下部呈錐形筒狀且下端面為開設有網(wǎng)孔的弧形面，回流罩（4）上部為延伸至渦卷腔的中間腔體內(nèi)的圓筒。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述噴射管（8）為側(cè)壁上開設有等距分布的多組噴孔的豎直管，噴孔朝向與廢水流動方向垂直。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述第一加注機構(gòu)（6）內(nèi)灌裝有混凝劑，第二加注機構(gòu)（7）內(nèi)灌裝有成核劑和助凝劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述分割板（15）內(nèi)端延伸至渦卷腔的中間腔體內(nèi)且前端端部固定連接有嵌套在下渦卷腔（1202）內(nèi)的阻擋板（17），阻擋板（17）設置在排渣口（1401）的外側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，所述上渦卷腔（1201）的外側(cè)壁固定連接有沿著渦卷板（12）走向等距設置的多組阻擋條（16）。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種單晶硅生產(chǎn)廢水處理裝置,其特征在于，阻擋條（16）為橫截面呈半圓形的長條。