[發(fā)明專利]電容器及制造該電容器的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211080668.2 | 申請日： | 2018-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN115394556A | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張昌洙;金侖熙;鄭雄圖;柳廷勳 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/30;H01G4/224 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 何巨;薛丞丞 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電容器 制造 方法 | ||
1.一種電容器，所述電容器包括：
基板，包括彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽；
第一電極，設(shè)置在所述第一溝槽中以及所述基板的一個(gè)表面上；
第二電極，設(shè)置在所述第二溝槽中以及所述基板的所述一個(gè)表面上，并與所述第一電極間隔開；
第一焊盤電極和第二焊盤電極，分別布置在所述第一電極和所述第二電極上；以及
鈍化層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極以及所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極上，并具有分別部分地暴露所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極的開口，
其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽以150nm至2μm的距離彼此間隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽在所述基板的縱向方向上具有10nm或更大的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述第一電極和所述第二電極使用原子層沉積工藝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽穿透所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述第一電極和所述第二電極包括銀、鉛、鉑、鎳和銅中的一種或它們的合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極包括金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述基板包括硅。
8.一種制造電容器的方法，所述方法包括：
制備基板；
在所述基板中形成彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽；
在所述第一溝槽和所述第二溝槽中以及在所述基板的一個(gè)表面上形成電極，并在所述電極上形成焊盤電極；
去除所述焊盤電極的部分以將所述焊盤電極分為第一焊盤電極和第二焊盤電極，并去除所述電極的部分以將所述電極分為第一電極和第二電極；
形成鈍化層以覆蓋所述第一電極和所述第二電極以及所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極；以及
去除所述鈍化層的部分以部分地暴露所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極，
其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽以150nm至2μm的距離彼此間隔開。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，使用原子層沉積工藝在所述第一溝槽和所述第二溝槽中以及所述基板的所述一個(gè)表面上形成所述電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括：在去除所述鈍化層的所述部分之后，研磨所述基板的與形成有所述鈍化層的所述一個(gè)表面相對的表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過所述研磨暴露所述第一溝槽和所述第二溝槽。
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