[發明專利]一種低介電共混聚酰亞胺及制備方法和應用

在審

• 申請號: 202211079828.1
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN115850699A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 劉亦武;周志峰;譚井華;黃杰;堯兵;周志遠;錢洪炎
• 申請（專利權）人: 江西有澤新材料科技有限公司;湖南工業大學
• 主分類號: C08G73/10
• 分類號: C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 杜梅花

1.一種低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，其制備步驟包括：

S1.將含氟二胺與含氟二酐按比例加入到惰性氣體保護的極性非質子溶劑中，攪拌反應，得到均相、粘稠的聚酰胺酸膠液A；

S2.將含噻蒽結構和酯鍵的二胺與和含氟二酐按比例加入到惰性氣體保護的極性非質子溶劑中，攪拌反應，得到均相、粘稠的聚酰胺酸膠液B；

S3.將步驟S1中的聚酰胺酸膠液A和步驟S2中的聚酰胺酸膠液B按比例混合在一起，控制溫度-10～40℃，攪拌4～12小時，制備共混型聚酰胺酸膠液；

S4.將步驟S3中得到的混合聚酰胺酸膠液均勻涂覆在潔凈的玻璃上，對聚酰胺酸膠液進行酰亞胺化后，得到聚酰亞胺薄膜。

2.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述的含氟二胺為下列結構中的一種或多種：

所述含氟二酐單體為下述結構中的一種或多種：

3.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述的含噻蒽結構和酯鍵的二胺結構為：

所述含氟二酐單體為下述結構中的一種或多種：

4.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述含氟二胺單體與二酐單體的摩爾比為1:0.9～1.1，步驟S2中所述含噻蒽結構和酯鍵的二胺與含氟二酐的摩爾比為1:0.9～1.1。

5.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S1和S2中所述強極性非質子有機溶劑為N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、二甲基砜、環丁砜、1,4-二氧六環、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、間甲酚、四氫呋喃中的一種或一種以上。

6.根據權利要求1所述的一種低介電共混聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述的聚酰胺酸溶液A與聚酰胺酸溶液B的質量比為50:50～99:1。

7.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S1和S2中所述二胺和二酐總質量占反應物料總質量的質量分數為2～50％。

8.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述攪拌反應的時間為0.5～72h；步驟S2中所述攪拌反應的時間為0.5～72h。

9.根據權利要求1所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述酰亞胺化包括熱酰亞胺化或化學酰亞胺化。

10.根據權利要求1-9任一所述低介電共混聚酰亞胺的制備方法制備的聚酰亞胺，其特征在于，所述聚酰亞胺應用于微電子領域。