[發(fā)明專利]線圈結構及電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211078870.1 | 申請日: | 2022-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN115424832A | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張浩;溫夢陽;劉利賓;史世明;邱海軍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F27/28 | 分類號: | H01F27/28;H01F38/14;H01Q7/00;H02J50/10 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線圈 結構 電子設備 | ||
1.一種線圈結構,其包括介質基板、設置在所述介質基板上的線圈部和第一圖案;其中,所述第一圖案沿所述介質基板的厚度方向貫穿所述介質基板的至少部分,且所述第一圖案與所述線圈部無交疊。
2.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,所述介質基板包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域;所述第二區(qū)域包圍所述第一區(qū)域,所述第三區(qū)域包圍所述第二區(qū)域;所述線圈部位于所述第二區(qū)域,在所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域均具有所述第一圖案。
3.根據(jù)權利要求2所述的線圈結構,其中,所述線圈部的相鄰匝之間限定出所述第二區(qū)域的第一子區(qū)域,且在所述第一子區(qū)域設置有所述第一圖案。
4.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,所述線圈部的形狀為方形、六邊形、八邊形、圓形中的至少一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,所述第一圖案的輪廓形狀為一字型、工字型、圓弧形中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,包括具有兩種輪廓形狀的第一圖案,且分別為第一形狀和第二形狀;所述第一圖案以所述第一形狀和所述第二形狀交替的方式沿所述介質基板的行方向和列方向排布。
7.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,所述線圈部的形狀為圓形;其中,
所述第一圖案包括沿順時針依次設置的多個第一子圖案,所述第一子圖案的輪廓為圓弧形,且多個所述第一子圖案共圓心。
8.根據(jù)權利要求7所述的線圈結構,其中,所述第一圖案的數(shù)量為多個,且各所述第一圖案的第一子圖案一一對應設置。
9.根據(jù)權利要求1-8中任一項所述的線圈結構,其中,所述線圈結構還包括發(fā)光器件;所述線圈部具有第一連接端和第二連接端,所述第一連接端與所述發(fā)光器件的第一電極連接,所述第二連接端與所述發(fā)光器件的第二電極連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的線圈結構,其中,所述線圈結構還包括依次設置在所述線圈部遠離所述介質基板的一側的絕緣層和像素限定層,且所述像素限定層具有容納部;所述發(fā)光器件包括第一電極、發(fā)光層和第二電極;所述第一電極位于所述絕緣層遠離所述線圈部的一側,所述發(fā)光層位于所述第一電極遠離所述絕緣層的一側,且至少位于所述像素限定層的容納部內(nèi),所述第二電極位于所述發(fā)光層遠離所述第一電極的一側;
所述第一連接端通過第一過孔與所述第一電極連接,所述第二連接端通過第二過孔與所述第二電極連接;其中,所述第一過孔貫穿所述絕緣層,所述第二過孔貫穿所述絕緣層和所述像素限定層。
11.根據(jù)權利要求10所述的線圈結構,其中,所述第一圖案沿所述介質基板的厚度方向貫穿所述介質基板。
12.根據(jù)權利要求1所述的線圈結構,其中,所述線圈結構是近場通信天線或充電線圈。
13.一種電子設備,其中,所述電子設備包括權利要求1-12中任一項所述的線圈結構,以及位于所述線圈結構上的功能器件。
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