[發明專利]發光裝置和包括其的電子設備在審
| 申請號: | 202211078714.5 | 申請日: | 2022-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN116096122A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 嚴賢娥;金炯民;樸泳進;安熙春;尹柱熙;李藝瑟;李孝榮 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/16 | 分類號: | H10K50/16;H10K50/15;H10K85/10 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 包括 電子設備 | ||
1.一種發光裝置,包括:
第一電極;
面向所述第一電極的第二電極;和
設置在所述第一電極和所述第二電極之間的夾層,其中
所述夾層包括:
發射層;和
層,
所述發射層包括:
第一空穴傳輸化合物;
第一電子傳輸化合物;和
第三化合物,并且
所述層包括:
所述第一電子傳輸化合物;
含金屬材料;和
第二電子傳輸化合物,并且
所述層設置在所述發射層和所述第二電極之間。
2.如權利要求1所述的發光裝置,其中:
所述層摻雜有所述第一電子傳輸化合物,并且
所述層具有大于0wt%且等于或小于20wt%的摻雜濃度。
3.如權利要求1所述的發光裝置,其中所述層和所述發射層彼此接觸。
4.如權利要求1所述的發光裝置,進一步包括設置在所述發射層和所述層之間的緩沖層。
5.如權利要求4所述的發光裝置,其中所述緩沖層接觸所述發射層和所述層。
6.如權利要求1所述的發光裝置,其中:
所述第一空穴傳輸化合物包括咔唑部分,并且不包括三嗪部分、嘧啶部分和吡啶部分,
所述第一電子傳輸化合物包括Si部分,并且包括三嗪部分、嘧啶部分或吡啶部分,并且
所述第二電子傳輸化合物包括三嗪部分。
7.如權利要求1所述的發光裝置,其中所述第一空穴傳輸化合物由式1表示:
式1
其中在式1中,
R1至R3各自獨立地為氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一個R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一個R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一個R10a取代的C3-C10環烷基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C10雜環烷基、未取代的或被至少一個R10a取代的C3-C10環烯基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C10雜環烯基、未取代的或被至少一個R10a取代的C6-C60芳基、未取代的或被至少一個R10a取代的C6-C60芳氧基、未取代的或被至少一個R10a取代的C6-C60芳硫基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C60雜芳基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C60雜芳氧基、未取代的或被至少一個R10a取代的C1-C60雜芳硫基、未取代的或被至少一個R10a取代的單價非芳族稠合多環基團、未取代的或被至少一個R10a取代的單價非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)或-P(=S)(Q1)(Q2),
從R1至R3中排除三嗪部分、嘧啶部分和吡啶部分,
a2和a3各自獨立地為選自1至4的整數,
R10a為:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基或硝基;
各自未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C3-C60碳環基、C1-C60雜環基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60雜芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任何組合;
各自未被取代或被以下取代的C3-C60碳環基、C1-C60雜環基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60雜芳基烷基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳環基、C1-C60雜環基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60雜芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任何組合;或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)或-P(=O)(Q31)(Q32),并且
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自獨立地為:氫;氘;-F;-Cl;-Br;-I;羥基;氰基;硝基;C1-C60烷基;C2-C60烯基;C2-C60炔基;C1-C60烷氧基;或者各自未被取代或被以下取代的C3-C60碳環基、C1-C60雜環基、C7-C60芳基烷基或C2-C60雜芳基烷基:氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、聯苯基、咔唑基、雙咔唑基或其任何組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211078714.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





