[發明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 202211077121.7 | 申請日： | 2022-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN115966592A | 公開（公告）日： | 2023-04-14 |
| 發明（設計）人： | 名淵雄太;柳川洋;永久克己;酒井敦 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/335;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 張寧;崔慧玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
半導體襯底，包括主表面；
單元部分，具有形成在所述半導體襯底上的絕緣柵場效應晶體管；以及
外周部分，在所述主表面處位于所述單元部分的外部，
其中所述單元部分包括：
第一單元柱狀區域和第二單元柱狀區域，在平面圖中所述第一單元柱狀區域和所述第二單元柱狀區域在所述半導體襯底上被布置為彼此相鄰；以及
第一單元溝槽柵極和第二單元溝槽柵極，在平面圖中所述第一單元溝槽柵極和所述第二單元溝槽柵極被布置在所述第一單元柱狀區域和所述第二單元柱狀區域之間，以及
其中所述外周部分包括：
外周溝槽柵極，在平面圖中所述外周溝槽柵極連接到所述第一單元溝槽柵極和所述第二單元溝槽柵極中的每個單元溝槽柵極的端部；以及
第一外周柱狀區域，相對于所述外周溝槽柵極而被布置在所述單元部分側上，并且在平面圖中跨所述第一單元溝槽柵極和所述第二單元溝槽柵極延伸。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中在平面圖中，所述第一外周柱狀區域在所述單元部分的整個寬度方向上延伸。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，
其中所述第一外周柱狀區域被形成為在平面圖中包圍所述單元部分的外周。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述外周部分還包括第二外周柱狀區域，并且
其中在平面圖中所述第二外周柱狀區域與所述第一外周柱狀區域將所述外周溝槽柵極夾在中間，并且在所述單元部分的整個寬度方向上延伸。
5.一種半導體器件，包括：
半導體襯底，包括主表面；
單元部分，具有形成在所述半導體襯底上的絕緣柵場效應晶體管；以及
外周部分，在所述主表面處位于所述單元部分的外部，
其中所述單元部分包括：
第一單元柱狀區域和第二單元柱狀區域，在平面圖中所述第一單元柱狀區域和所述第二單元柱狀區域在所述半導體襯底上被布置為彼此相鄰；以及
第一單元溝槽柵極和第二單元溝槽柵極，在平面圖中所述第一單元溝槽柵極和所述第二單元溝槽柵極被布置在所述第一單元柱狀區域和所述第二單元柱狀區域之間，以及
其中所述外周部分包括：
外周溝槽柵極，在平面圖中所述外周溝槽柵極連接到所述第一單元溝槽柵極和所述第二單元溝槽柵極中的每個單元溝槽柵極的端部；以及
外周柱狀區域，所述外周柱狀區域布置在所述外周溝槽柵極的正下方。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，
其中具有所述外周溝槽柵極的外周溝槽形成在所述半導體襯底中，并且
其中所述外周柱狀區域與所述外周溝槽的整個底表面接觸。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，
其中所述外周柱狀區域與所述外周溝槽的所述單元部分側上的側表面和所述外周部分側上的側表面二者接觸。
8.根據權利要求5所述的半導體器件，
其中在平面圖中，所述外周柱狀區域在所述單元部分的整個寬度方向上延伸。
9.根據權利要求8所述的半導體器件，
其中在平面圖中，所述外周柱狀區域包圍所述單元部分的所述外周。
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