[發(fā)明專利]一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211075717.3 | 申請日: | 2022-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN115305000A | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹曉燕;閆明 | 申請(專利權)人: | 南京奧創(chuàng)先進材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C09D183/04 | 分類號: | C09D183/04;C09D179/04;C09D161/06;C09D161/14;C09D5/18;C09D7/61 |
| 代理公司: | 南京中盟科創(chuàng)知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32279 | 代理人: | 孫麗君 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市建*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 耐高溫 火焰 沖擊 發(fā)泡 涂層 制備 方法 | ||
1.一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,該發(fā)泡涂層包括以下質量份數的成分組成:
聚磷酸銨10-20份;
三聚氰胺10-20份;
樹脂性聚合物20-30份;
脂肪醇聚氧化乙烯1-3份;
有機硅樹脂30-50份;
氫氧化鋁10-30份;
高嶺土5-10份;
硼酸鈉1-3份;
偏磷酸鈉3-8份;
陶瓷微珠5-8份;
鈦白粉5-10份;
乙醇10-20份;
異丙醇10-20份。
2.根據權利要求1所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,所述有機硅樹脂包括甲基苯基有機硅樹脂、甲基硅樹脂、乙基硅樹脂和芳基硅樹脂中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,所述有機硅樹脂的混合形式為水性非離子型乳液或溶劑型溶液或乳液型乳液或完全的硅樹脂本體,配方所使用的有機硅樹脂的有效樹脂質量分數為40%。
4.根據權利要求1所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,所述樹脂性聚合物包括苯并噁嗪樹脂、酚醛樹脂、類酚醛樹脂及改性酚醛樹脂中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,所述陶瓷微球的直徑設置為10-30微米,所述陶瓷微球的堆積密度低于0.25g/cm3,且所述陶瓷微球分散時,使用塑料分散盤。
6.根據權利要求1所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層,其特征在于,所述鈦白粉設置為金紅石鈦白,所述高嶺土設置為高純度類型。
7.一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層的制備方法,用于實現權利要求1-6中任一項所述的耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層的制備,其特征在于,該制備工藝包括以下步驟:
S1、按配比稱取各原料,向高速分散機中加入樹脂性聚合物、脂肪醇聚氧化乙烯及有機硅樹脂乳液,并使用高速分散機進行分散,高速分散機轉速為800r/min,分散時間為15min;
S2、向粉碎機中加入聚磷酸銨、三聚氰胺、氫氧化鋁、高嶺土、硼酸鈉、偏磷酸鈉及鈦白粉,且通過破碎機進行混合均勻,并在過300目篩網之后,加入高速分散機中繼續(xù)分散15min;
S3、向高速分散機中加入陶瓷微球;
S4、向高速分散機中加入乙醇及異丙醇并混合10min后,完成涂料配置;
S5、使用溶劑將步驟S4混合后的涂料稀釋至涂-4黏度60-120s,且靜置10-15min脫泡;
S6、用噴涂機對待噴涂零件進行噴涂,每次噴涂0.3-0.5mm厚,且施工間隔時間以上次涂料表干為標準,同時循環(huán)直至噴涂到設計厚度,最后一次噴涂完成后,完全干透;
S7、將零件放進烘房進行加熱固化。
8.根據權利要求7所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層的制備方法,其特征在于,所述陶瓷微球使用塑料分散盤分散,分散轉速為300r/min,分散時間為20min。
9.根據權利要求7所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層的制備方法,其特征在于,所述使用溶劑將步驟S4混合后的涂料稀釋至涂-4黏度60-120s時,溶劑包括乙醇及異丙醇,且乙醇及異丙醇的比例為2:1。
10.根據權利要求7所述的一種耐高溫火焰沖擊的發(fā)泡涂層的制備方法,其特征在于,所述將零件放進烘房進行加熱固化時,固化溫度為180℃,固化時間為20min。
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C09D 涂料組合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充漿料;化學涂料或油墨的去除劑;油墨;改正液;木材著色劑;用于著色或印刷的漿料或固體;原料為此的應用
C09D183-00 基于由只在主鏈中形成含硅的、有或沒有硫、氮、氧或碳鍵反應得到的高分子化合物的涂料組合物;基于此種聚合物衍生物的涂料組合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷鏈區(qū)的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少兩個,但不是所有的硅原子與氧以外的原子連接
C09D183-16 .其中所有的硅原子與氧以外的原子連接





