[發明專利]使用特征圖像的三維掩模仿真中的掩模角圓化效應

在審

• 申請號: 202211073791.1
• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115729055A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 劉鵬
• 申請（專利權）人: 美商新思科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 丁君軍

1.一種方法，包括：

接收光刻掩模的布局幾何形狀，所述布局幾何形狀包括具有一個或多個圓角的至少一個形狀；

由一個或多個處理器將所述布局幾何形狀分割為多個特征圖像，其中所述特征圖像包括至少一個掩模角圓化MCR校正的特征圖像，所述掩模角圓化校正的特征圖像說明所述形狀的所述圓角；

通過將所述特征圖像與對應的掩模3D濾波器進行卷積，來計算來自所述多個特征圖像中的每個特征圖像的掩模函數MF貢獻，其中與每個特征圖像對應的所述掩模3D濾波器表示所述特征圖像的電磁散射效應；以及

基于經計算的所述MF貢獻的組合來確定用于所述光刻掩模的掩模函數。

2.根據權利要求1所述的方法，其中用于所述MCR校正的特征圖像的所述掩模3D濾波器和用于與所述MCR校正的特征圖像相對應的基于多邊形的特征圖像的掩模3D濾波器相同，其中所述基于多邊形的特征圖像基于尖角。

3.根據權利要求1所述的方法，其中將所述布局幾何形狀分割為多個特征圖像包括：

將所述布局幾何形狀分割為多個基于多邊形的特征圖像；以及

校正所述基于多邊形的特征圖像中的至少一個基于多邊形的特征圖像，以產生所述MCR校正的特征圖像。

4.根據權利要求3所述的方法，其中針對所述至少一個基于多邊形的特征圖像的校正通過所述圓角的角度和所述圓角的曲率而被參數化。

5.根據權利要求3所述的方法，其中針對所述至少一個基于多邊形的特征圖像的校正是基于由源照明所照明的具有圓角的所述特征圖像、通過掩模結構的所述散射效應的嚴格電磁仿真而被確定的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中將所述布局幾何形狀分割為多個特征圖像包括：

將所述布局幾何形狀分割為多個基于多邊形的特征圖像；以及

針對具有圓角的至少一個形狀，針對所述形狀校正所述基于多邊形的特征圖像中的所有特征圖像，以產生針對所述形狀的MCR校正的特征圖像。

7.根據權利要求6所述的方法，其中針對所述形狀的所述特征圖像由以下組成：區域圖像、一個或多個單邊緣圖像和多個多邊緣圖像。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

將所述掩模函數作為輸入應用于阿貝成像模型或霍普金斯成像模型。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述布局幾何形狀包括針對整個芯片的布局幾何形狀。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模的源照明是極紫外EUV或深紫外DUV照明。

11.一種系統，包括：

計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲指令和庫，所述庫包含預定義的特征圖像和對應的預先計算的掩模3D濾波器；以及

處理器設備，所述處理器設備與所述計算機可讀存儲介質耦合并且用以執行所述指令，所述指令在被執行時使所述處理器設備以：

基于被包含在所述庫中的所述預定義的特征圖像將光刻掩模的布局幾何形狀分割為多個特征圖像，所述多個特征圖像包括至少一個MCR校正的特征圖像；

通過將所述特征圖像與來自所述庫的所述相對應的掩模3D濾波器進行卷積，來計算來自所述多個特征圖像中的每個特征圖像的掩模函數MF貢獻；以及

組合經計算的所述MF貢獻以確定用于所述光刻掩模的掩模函數。

12.根據權利要求11所述的系統，其中在所述庫中的所述預定義的特征圖像包括基于多邊形的特征圖像，所述基于多邊形的特征圖像是基于尖角和用于說明圓角的掩模角圓化MCR校正的特征圖像，并且所述掩模3D濾波器針對對應的基于多邊形的特征圖像和MCR校正的特征圖像是相同的。