[發明專利]一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 202211069965.7
• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115472563A
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 陳偉;潛垚
• 申請（專利權）人: 華映科技（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G06F3/041
• 代理公司: 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

1.一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

第一步：依序在Glass上Pattern形成buffer層SiOx；

第二步：Pattern形成有源層；

第三步：沉積一層刻蝕阻擋層ES；

第四步：Pattern形成金屬層GE，包括柵極和觸控層CM；

第五步：沉積一層絕緣保護層PV；

第六步：在TFT器件上涂布一層有機平坦層OC，并Pattern出OC孔；

第七步：采用ES光罩進行曝光/顯影/蝕刻制程，Pattern出ES孔；

第八步：在OC層上Pattern一層金屬層SD，并通過ES孔與SE相連接，觸控層CM處Pattern出金屬墊層；

第九步：沉積一層絕緣層VA，并Pattern形成VA孔；

第十步：沉積一層公共電極BC，并Pattern通過VA孔與觸控金屬層搭接；

第十一步：在BC孔上沉積一層絕緣層CH，并Pattern形成CH孔；

第十二步：沉積一層像素電極PE，并Pattern通過CH孔與源漏極金屬層搭接。

2.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述有源層SE，為IGZO。

3.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述金屬層GE，為Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。

4.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述絕緣層PV，為SiOx。

5.如權利要求所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述源漏極SD，為Ti/Al/Ti。

6.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述絕緣層VA，為SiOx或SiNx。

7.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述公共電極層BC，為ITO。

8.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述絕緣層CH為SiOx或SiNx。

9.如權利要求1所述的一種可降低觸控電容的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述像素電極PE，為ITO。