[發明專利]一種實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法、系統及SOC

在審

• 申請號: 202211067624.6
• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115129519A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 徐晨曦;周平;熊海峰
• 申請（專利權）人: 上海泰矽微電子有限公司
• 主分類號: G06F11/14
• 分類號: G06F11/14;G06F11/10;G06F15/78
• 代理公司: 上海雙誠知識產權代理事務所(普通合伙) 31423
• 代理人: 方玉

1.一種實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，所述方法包括：

將芯片的區域劃分為第一區域和第二區域，所述第一區域為數據寫入區域，所述第二區域為備份區域；

當第一區域的數據寫入完畢后，對所述第一區域的寫入數據進行校對；

如果所述第一區域中的第一比特位的數據寫入錯誤，則從所述第二區域獲取正確的數據對所述第一比特位數據進行糾正，所述第一比特位為所述第一區域中的任一比特位。

2.根據權利要求1所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，如果所述第一區域中的第一比特位的數據寫入錯誤，則從所述第二區域獲取正確的數據對所述第一比特位數據進行糾正，包括：

在第一區域進行數據寫入時，對所述第二區域不進行寫操作；

如果所述第一區域中的第一比特位數據寫入錯誤，則從所述第二區域中任選一比特位數據對所述第一比特位數據進行糾正。

3.根據權利要求1所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，如果所述第一區域中的第一比特位的數據寫入錯誤，則從所述第二區域獲取正確的數據對所述第一比特位數據進行糾正，包括：

將所述第一區域和第二區域比特位設置為同等長度；

在第一區域進行數據寫入時，根據所述第一區域寫入的第一數據對所述第二區域寫入與所述第一數據相反的第二數據；

如果所述第一區域中的第一比特位數據寫入錯誤，則從所述第二區域中選擇對應位置的比特位數據對所述第一比特位數據進行糾正。

4.根據權利要求2或3所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，efuse上電后均默認為高電平1，如果efuse 的比特位存在壞點則efuse寫操作為1無法寫為0。

5.根據權利要求4所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，所述對第一比特位數據進行糾正，包括：

判斷所述第一區域和所述第二區域中的比特位數據狀態；

根據所述比特位數據狀態確定正確的第一比特位數據；

將所述第一比特位數據映射到所述第一比特位。

6.根據權利要求5所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的方法，其特征在于，所述根據所述比特位數據狀態確定正確的第一比特位數據，包括：

當第一區域的第一比特位數據是壞的，寫操作時1無法寫為0，進一步判斷第二區域中的第二比特位數據狀態；

如果所述第二區域中第二比特位數據是好的，則將所述第二比特位數據寫為0作為映射到第一比特位的數據；或者，

如果所述第二區域中第二比特位數據是壞的，則所述第二比特位數據1也無法修改，則從所述第二區域中選取任一為0的比特位數據作為映射到第一比特位的數據。

7.一種實現efuse結構的芯片多次寫操作的系統，其特征在于，所述系統包括：

芯片劃分模塊，用于將芯片的區域劃分為第一區域和第二區域，所述第一區域為數據寫入區域，所述第二區域為備份區域；

校對模塊，用于當第一區域的數據寫入完畢后，對所述第一區域的寫入數據進行校對；

數據糾正模塊，用于如果所述第一區域中的第一比特位的數據寫入錯誤，則從所述第二區域獲取正確的數據對所述第一比特位數據進行糾正，所述第一比特位為所述第一區域中的任一比特位。

8.根據權利要求7所述的實現efuse結構的芯片多次寫操作的系統，其特征在于，所述數據糾正模塊包括：

第一寫操作單元，用于在第一區域進行數據寫入時，對所述第二區域不進行寫操作；

第一數據糾正單元，用于如果所述第一區域中的第一比特位數據寫入錯誤，則從所述第二區域中任選一比特位數據對所述第一比特位數據進行糾正。