[發明專利]太陽電池的制備方法、發射結及太陽電池

在審

• 申請號: 202211067403.9
• 申請日: 2022-09-01
• 公開（公告）號: CN115483310A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 三一硅能（株洲）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 任少瑞

本發明涉及光伏技術領域，提供一種太陽電池的制備方法、發射結及太陽電池，太陽電池的制備方法包括對硅片的表面進行制絨清洗；在硅片正面的制絨面制備淺結，或，在硅片正面的制絨面制備正面隧穿氧化鈍化接觸結構；在硅片上印刷金屬漿料并燒結；通過激光增強接觸優化技術對正面金屬漿料進行處理，使硅片的正面形成具有選擇性的發射極。可以有效降低太陽電池表面的少子的復合速度，提高短波段的光譜響應，采用激光增強接觸優化技術對正面金屬漿料進行處理，增加金屬漿料與硅片的接觸面積，使正面金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，有效增加短路電流和開路電壓，金屬接觸部分不需要進行二次摻雜形成重摻雜，可以使用低接觸特征的漿料，有效降低成本。

技術領域

本發明涉及光伏技術領域，尤其涉及一種太陽電池的制備方法、發射結及太陽電池。

背景技術

目前太陽電池的選擇性發射極的制備方法有以下幾種，第一種采用高溫擴散工藝在硅片正面形成發射極，再通過激光摻雜形成選擇性發射極；第二種采用高溫擴散工藝形成輕摻雜，然后低溫進行二次擴散，將二次擴散作為激光摻雜的硼源或磷源進行摻雜形成選擇性發射極；第三種，采用高溫擴散工藝形成輕摻雜，對輕摻雜區域進行激光開槽，二次進爐對開槽區域進行擴散形成選擇性發射極；第四種，采用高溫擴散工藝形成輕摻雜，對輕摻雜區域進行激光開槽，最后對激光開槽區域進行硼漿或磷漿印刷并烘干形成選擇性發射極。目前太陽電池的選擇性發射極的制備方法的共同點均是采用了高溫擴散高溫推進方式制備發射結，需要進行多次擴散或印刷硼漿或磷漿形成具有高摻雜濃度的局部接觸。

擴散長時間高溫會對硅片表面造成損傷形成缺陷，增加了表面復合，導致開路電壓降低，從而導致電池效率下降。同時，擴散方阻均勻性不佳，摻雜效率較低，從而降低歐姆接觸特性，增加串聯電阻，最終降低填充因子和電池效率，影響電池的性能；并且擴散時間長，多次擴散或印刷漿料等工序的加入進一步地降低了產能，提高制作成本。

發明內容

本發明提供一種太陽電池的制備方法、發射結及太陽電池，用以解決現有技術中采用了高溫擴散高溫推進方式制備發射結，需要進行多次擴散或印刷硼漿或磷漿形成具有高摻雜濃度的局部接觸，而對硅片表面造成損傷增加表面復合導致開路電壓降低，且摻雜效率較低而降低歐姆接觸特性，降低電池效率影響電池的性能；并且擴散時間長，降低了產能，提高制作成本的缺陷。

本發明提供一種太陽電池的制備方法，包括：

對硅片的表面進行制絨清洗；

在所述硅片正面的制絨面制備淺結，或，在所述硅片正面的制絨面制備正面隧穿氧化鈍化接觸結構；

在所述硅片上印刷金屬漿料并燒結；

通過激光增強接觸優化技術對正面金屬漿料進行處理，使所述硅片的正面形成具有選擇性的發射極。

根據本發明提供的一種太陽電池的制備方法，所述通過激光增強接觸優化技術對正面金屬漿料進行處理，使所述硅片的正面形成具有選擇性的發射極，包括：

通過所述激光增強接觸優化技術對所述硅片正面的柵線部分進行激光掃描，同時對所述硅片施加負偏壓；

快速冷卻，使所述硅片正面的柵線部分形成歐姆接觸，使所述硅片的正面形成具有選擇性的發射極。

根據本發明提供的一種太陽電池的制備方法，所述在所述硅片上印刷金屬漿料并燒結之前，還包括：

使所述硅片的背面形成拋光面；

對所述硅片的背面制備背面隧穿氧化層及背面摻雜多晶硅結構。

根據本發明提供的一種太陽電池的制備方法，所述在所述硅片上印刷金屬漿料并燒結之前，還包括：

去除所述硅片正面的繞鍍多晶硅層；

在所述硅片的正面制備正面氧化層、正面鈍化膜及正面減反射膜；