[發(fā)明專利]磁性存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211067312.5 | 申請日： | 2022-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN115768239A | 公開（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李俊明;金晥均;盧恩仙;申喜珠;鄭峻昊 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H10N50/10 | 分類號： | H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁性 存儲 器件 | ||
一種磁性存儲器件可以包括堆疊在基板上的被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案、在被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案之間的隧道勢壘圖案、在自由磁性圖案上的覆蓋圖案、以及在自由磁性圖案和覆蓋圖案之間的非磁性圖案。自由磁性圖案可以在隧道勢壘圖案和覆蓋圖案之間。非磁性圖案可以包括第一非磁性金屬和硼，覆蓋圖案包括第二非磁性金屬。第二非磁性金屬的硼化物形成能可以高于第一非磁性金屬的硼化物形成能。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及包括磁隧道結(jié)的磁性存儲器件。
背景技術(shù)
隨著對高速和/或低功耗電子設(shè)備的需求，也需要在其中使用的高速和/或低電壓半導(dǎo)體存儲器件。作為能夠滿足這些需求的半導(dǎo)體存儲器件，磁性存儲器件已被開發(fā)。由于其高速和/或非易失性特性，磁性存儲器件可以作為下一代半導(dǎo)體存儲器件出現(xiàn)。
通常，磁性存儲器件可以包括磁隧道結(jié)(MTJ)圖案。磁隧道結(jié)圖案可以包括兩個磁性層和設(shè)置在兩個磁性層之間的絕緣層。磁隧道結(jié)圖案的電阻值可以取決于這兩個磁性層的磁化方向而改變。例如，當(dāng)這兩個磁性層的磁化方向彼此反平行時，磁隧道結(jié)圖案可以具有相對較高的電阻值，而當(dāng)這兩個磁性層的磁化方向彼此平行時，磁隧道結(jié)圖案可以具有相對較低的電阻值。磁性存儲器件可以使用磁隧道結(jié)圖案的電阻值之間的差異來寫入/讀取數(shù)據(jù)。
隨著電子工業(yè)的發(fā)展，越來越需要高度集成和/或低功率的磁性存儲器件。因此，進(jìn)行了各種研究以滿足這些需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式可以提供包括具有改善的開關(guān)特性的磁隧道結(jié)圖案的磁性存儲器件，和/或其制造方法。
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式還可以提供包括具有相對于高溫制造工藝的改善的熱阻的磁隧道結(jié)圖案的磁性存儲器件，和/或其制造方法。
在一實(shí)施方式中，一種磁性存儲器件可以包括基板、堆疊在基板上的被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案、在被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案之間的隧道勢壘圖案、在自由磁性圖案上的覆蓋圖案、以及在自由磁性圖案和覆蓋圖案之間的非磁性圖案。自由磁性圖案可以在隧道勢壘圖案和覆蓋圖案之間。非磁性圖案可以包括第一非磁性金屬和硼。覆蓋圖案可以包括第二非磁性金屬。第二非磁性金屬的硼化物形成能可以高于第一非磁性金屬的硼化物形成能。
在一實(shí)施方式中，一種磁性存儲器件可以包括基板、堆疊在基板上的被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案、在被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案之間的隧道勢壘圖案、覆蓋圖案和非磁性圖案。自由磁性圖案可以具有與隧道勢壘圖案相鄰的第一表面和與第一表面相反的第二表面。覆蓋圖案可以在自由磁性圖案的第二表面上。非磁性圖案可以在自由磁性圖案的第二表面和覆蓋圖案之間。非磁性圖案可以包括第一非磁性金屬和硼。覆蓋圖案可以包括與第一非磁性金屬不同的第二非磁性金屬。第二非磁性金屬可以包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、錸(Re)和錳(Mn)中的至少一種。
在一實(shí)施方式中，一種磁性存儲器件可以包括基板、堆疊在基板上的被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案、在被釘扎磁性圖案和自由磁性圖案之間的隧道勢壘圖案、在自由磁性圖案上的覆蓋圖案、以及在自由磁性圖案和覆蓋圖案之間的金屬氧化物圖案。自由磁性圖案可以在隧道勢壘圖案和覆蓋圖案之間。金屬氧化物圖案可以包括硼。覆蓋圖案可以包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、錸(Re)和錳(Mn)中的至少一種。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的磁性存儲器件的單位存儲單元的電路圖。
圖2至圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的磁性存儲器件的截面圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的磁性存儲器件的平面圖。
圖7是沿圖6的線I-I'截取的截面圖。
圖8至圖10是對應(yīng)于圖6的線I-I'的截面圖，以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的制造磁性存儲器件的方法。
具體實(shí)施方式
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