[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211064748.9
• 申請(qǐng)日: 2022-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115910988A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤望;前川和義;高橋裕治;土屋泰章;白石信仁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522;H10N97/00;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 張寧

公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括絕緣層、第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜和薄膜電阻器。絕緣層具有貫穿部分。第一導(dǎo)電膜形成在貫穿部分中，使得凹部形成在貫穿部分的上部處。第二導(dǎo)電膜形成在第一導(dǎo)電膜的上表面和貫穿部分的內(nèi)表面上。薄膜電阻器包括硅和金屬。薄膜電阻器形成在第二導(dǎo)電膜和絕緣層上。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，例如涉及包括薄膜電阻器的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

下面列出了所公開(kāi)的技術(shù)。

[專(zhuān)利文件1]日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2014-165458

作為模擬半導(dǎo)體器件，包括薄膜電阻器的半導(dǎo)體器件是已知的。薄膜電阻可以任意切割。因此，可以調(diào)整半導(dǎo)體器件的特性。

專(zhuān)利文件1中所描述的半導(dǎo)體器件包括：層間絕緣膜；通路，形成在層間絕緣膜中，使得通路穿透層間絕緣膜；薄膜電阻器，形成在層間絕緣膜上，使得薄膜電阻器與通路電連接；絕緣膜，形成在層間絕緣膜上，使得絕緣膜覆蓋薄膜電阻器；形成在絕緣膜上的布線；以及形成在絕緣膜上的虛設(shè)布線。在平面圖中，虛設(shè)布線被形成為使得虛設(shè)布線包括薄膜電阻器。在專(zhuān)利文件1中所描述的半導(dǎo)體器件中，薄膜電阻器被虛設(shè)布線保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容

例如，在專(zhuān)利文件1中所描述的半導(dǎo)體器件中，通過(guò)在形成于層間絕緣膜中的通路孔中埋入導(dǎo)電膜，然后通過(guò)蝕刻法或CMP法將導(dǎo)電膜平坦化，形成通路。在這種實(shí)例中，可以在通路孔中的導(dǎo)電膜上方形成間隙(以下也被稱(chēng)為“凹部”)。當(dāng)在形成有凹部的狀態(tài)下在通路和層間絕緣膜上形成薄膜電阻器時(shí)，薄膜電阻器可以在凹部的臺(tái)階部分處被減薄或切斷。因此，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性降低。

本實(shí)施例的問(wèn)題在于提高半導(dǎo)體器件的可靠性。其他問(wèn)題和新穎特征將從說(shuō)明書(shū)和附圖的描述中變得明顯。

根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括：具有貫穿部分的絕緣層；第一導(dǎo)電膜，其形成在貫穿部分中，使得凹部形成在貫穿部分的上部處；第二導(dǎo)電膜，其形成在第一導(dǎo)電膜的上表面和貫穿部分的內(nèi)表面上；以及薄膜電阻器，其包括硅和金屬并且形成在第二導(dǎo)電膜和絕緣層上。

根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法包括：在形成于絕緣層中的貫穿部分中形成第一導(dǎo)電膜，使得在貫穿部分的上部處形成凹部；在第一導(dǎo)電膜的上表面和貫穿部分的內(nèi)表面上形成第二導(dǎo)電膜；以及在第二導(dǎo)電膜和絕緣層上形成薄膜電阻器。

根據(jù)本實(shí)施例，能夠提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性配置的平面圖。

圖2是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性配置的橫截面圖。

圖3是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖4是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖5是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖6是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖7是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖8是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖9是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。

圖10是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所包括的示意性步驟的主要部分的橫截面圖。