[發明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 202211064512.5 | 申請日： | 2022-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN115394870A | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發明（設計）人： | 魏丹清 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/107 | 分類號： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 張亞靜 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
襯底；
第一離子摻雜區和第二離子摻雜區，形成于所述襯底中，所述第一離子摻雜區包圍所述第二離子摻雜區，所述第一離子摻雜區和所述第二離子摻雜區用于形成光電二極管；
至少一個第三離子摻雜區，間隔地形成于所述第一離子摻雜區的拐角外圍的襯底中，所述第三離子摻雜區與所述第一離子摻雜區的摻雜類型不同。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一離子摻雜區在平行于所述襯底的截面形狀為具有所述拐角的多邊形。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：
離子重摻雜區，形成于所述第二離子摻雜區的頂部，所述離子重摻雜區與所述第二離子摻雜區的摻雜類型相同。
4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第三離子摻雜區與所述離子重摻雜區或所述第二離子摻雜區的離子摻雜濃度相同。
5.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第三離子摻雜區與所述離子重摻雜區的深度相同。
6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：
保護環，形成于所述第一離子摻雜區與所述第三離子摻雜區之間的襯底中，所述保護環環繞所述第一離子摻雜區。
7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
形成第一離子摻雜區、第二離子摻雜區和至少一個第三離子摻雜區于所述襯底中，所述第一離子摻雜區包圍所述第二離子摻雜區，所述第一離子摻雜區和所述第二離子摻雜區用于形成光電二極管，所述第三離子摻雜區間隔地位于所述第一離子摻雜區的拐角外圍，所述第三離子摻雜區與所述第一離子摻雜區的摻雜類型不同。
8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體器件的制造方法還包括：
形成離子重摻雜區于所述第二離子摻雜區的頂部，所述離子重摻雜區與所述第二離子摻雜區的摻雜類型相同。
9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第三離子摻雜區與所述離子重摻雜區同時形成。
10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體器件的制造方法還包括：
形成保護環于所述第一離子摻雜區與所述第三離子摻雜區之間的襯底中，所述保護環環繞所述第一離子摻雜區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
