[發(fā)明專(zhuān)利]晶片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211062529.7 | 申請(qǐng)日： | 2022-08-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN116013950A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪起勇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/15 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/15;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 原宏宇;孫東喜 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 | ||
1.一種晶片，所述晶片包括：
基板，所述基板包括有源區(qū)域；以及
多個(gè)發(fā)光二極管LED，所述多個(gè)LED設(shè)置在所述有源區(qū)域上，
其中，所述多個(gè)LED中的每一個(gè)包括：
發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置在所述基板上；
p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層設(shè)置在所述發(fā)光層上；以及
p型電極，所述p型電極設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體層上，
其中，所述多個(gè)LED中的一個(gè)LED中的所述p型電極的面積的大小與所述多個(gè)LED中的另一LED中的所述p型電極的面積的大小不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述p型電極的面積隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的邊緣部分而減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片，其中，所述p型電極的面積隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的多個(gè)角部而減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，在所述多個(gè)LED中，所述p型電極的面積隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央而減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述p型電極的面積隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央與所述有源區(qū)域的邊緣部分之間的中間區(qū)域而增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片，其中，所述p型電極的面積隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央與所述有源區(qū)域的多個(gè)角部之間的中間區(qū)域而增加。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述發(fā)光層包括銦。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片，其中，所述發(fā)光層的銦組分隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的邊緣部分而增加。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片，其中，所述發(fā)光層的銦組分隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央而增加。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片，其中，所述發(fā)光層的所述銦組分隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央與所述有源區(qū)域的邊緣部分之間的中間區(qū)域而減少。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片，其中，所述發(fā)光層的所述銦組分隨著所述多個(gè)LED鄰近所述有源區(qū)域的中央與所述有源區(qū)域的多個(gè)角部之間的中間區(qū)域而減少。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片，其中，所述p型電極的面積隨著所述發(fā)光層的銦組分的增加而減小。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片，其中，從所述有源區(qū)域的中央?yún)^(qū)域起的相同半徑的區(qū)域具有相同的銦組分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD來(lái)生長(zhǎng)所述發(fā)光層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述多個(gè)LED的所述p型電極相對(duì)于所述有源區(qū)域的中央對(duì)稱(chēng)地形成。
16.一種晶片，所述晶片包括：
基板，所述基板包括有源區(qū)域；
第一發(fā)光二極管LED，所述第一LED設(shè)置在所述有源區(qū)域上并且包括第一p型電極；以及
第二LED，所述第二LED設(shè)置在所述有源區(qū)域上并且包括第二p型電極，
其中，所述第一p型電極的尺寸小于所述第二p型電極的尺寸。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片，其中，所述第一LED還包括第一發(fā)光層，
所述第二LED還包括第二發(fā)光層，并且
所述第一發(fā)光層比所述第二發(fā)光層包括更多的銦。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
