[發(fā)明專利]一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托及利用其制備晶體的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211062524.4 | 申請日: | 2022-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN115976637A | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 請求不公布姓名 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號: | C30B23/00 | 分類號: | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司: | 哈爾濱市文洋專利代理事務(wù)所(普通合伙) 23210 | 代理人: | 王艷萍 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)智谷二街3*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 保護 坩堝 應(yīng)力 籽晶 利用 制備 晶體 方法 | ||
1.一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于該籽晶托包括保護環(huán)(1)、支撐環(huán)(2)、籽晶支架(3)、限位環(huán)(4)、籽晶蓋(5);
其中保護環(huán)(1)的外壁的上部設(shè)置第一支撐臺(1-1);
支撐環(huán)(2)的內(nèi)壁的下方設(shè)置第二支撐臺(2-1);
支撐環(huán)(2)設(shè)置在保護環(huán)(1)的第一支撐臺(1-1)上,支撐環(huán)(2)與保護環(huán)(1)固定連接;其中保護環(huán)(1)作為籽晶固定的支撐,置于坩堝內(nèi),與內(nèi)壁側(cè)面接觸并可沿側(cè)面滑動;支撐環(huán)(2)用于支撐固定籽晶支架(3);
籽晶支架(3)的外壁呈圓柱狀,籽晶支架(3)的內(nèi)壁的上方為圓臺狀,下方為圓柱狀;
籽晶支架(3)設(shè)置于支撐環(huán)(2)內(nèi)且置于支撐環(huán)(2)的第二支撐臺(2-1)上;籽晶支架(3)的上表面低于支撐環(huán)(2)的上端面;
限位環(huán)(4)設(shè)置于支撐環(huán)(2)內(nèi)且位于籽晶支架(3)的上表面;限位環(huán)(4)的內(nèi)徑大于籽晶支架(3)上表面內(nèi)圓的直徑;限位環(huán)(4)與支撐環(huán)(2)通過螺紋連接或鑲嵌連接方式固定連接;籽晶支架(3)上表面未被限位環(huán)(4)覆蓋的部分用于支撐多晶片6;
籽晶蓋(5)的外表面設(shè)置螺紋與限位環(huán)(4)內(nèi)表面上部的螺紋配合連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于籽晶支架(3)和保護環(huán)(1)的材質(zhì)為石墨、難熔金屬或者表面涂覆有難熔涂層的石墨。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于其中難熔涂層為難熔金屬涂層或難熔金屬合金涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于難熔金屬合金為TaC。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于難熔涂層的厚度為50~1000μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于保護環(huán)(1)的上表面與支撐環(huán)(2)的第二支撐臺(2-1)的表面平齊;籽晶支架(3)置于第二支撐臺(2-1)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托,其特征在于支撐環(huán)(2)與保護環(huán)(1)的固定連接方式為螺紋連接或鑲嵌連接。
8.利用權(quán)利要求1所述的一種保護坩堝的低應(yīng)力籽晶托制備晶體的方法,其特征在于該方法按以下步驟進行:
一、將保護環(huán)(1)放置到坩堝中,保護環(huán)(1)位于坩堝中部位置,原料上方;
二、將支撐環(huán)(2)放在1-保護環(huán)上方,并螺紋或鑲嵌固定;
三、將籽晶支架(3)放入到支撐環(huán)(2)內(nèi)部的第二支撐臺(2-1)上;
四、將限位環(huán)(4)放在籽晶支架(3)的上表面,限位環(huán)(4)與支撐環(huán)(2)通過螺紋連接或鑲嵌連接方式固定連接;
五、將籽晶7的Si面用有機質(zhì)或膠水粘接固定在多晶片6的下表面,其中有機質(zhì)為單糖或二糖溶液;再將多晶片6粘接有籽晶7的一面朝下,放入限位環(huán)(4)中;
六、將籽晶蓋(5)放入限位環(huán)(4)中,螺紋固定并壓緊多晶片6;
七、用物理氣相輸送法生長晶體;
八、晶體生長完成后,通過支撐環(huán)(2)將整體結(jié)構(gòu)從坩堝中取出;
九、將籽晶蓋(5)和限位環(huán)(4)依次拆開;將支撐環(huán)(2)與保護環(huán)(1)分離;
十、將支撐環(huán)(2)連帶籽晶支架(3)倒置,擰開螺紋取下籽晶支架(3)即可將晶體取出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司,未經(jīng)哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211062524.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 預(yù)應(yīng)力混凝土連續(xù)箱梁
- 具有應(yīng)力減緩層的集成電路裝置
- 一種帶保護盒的應(yīng)力敏感變壓器鐵芯及其無應(yīng)力固定方法
- 動態(tài)光彈性系統(tǒng)中動應(yīng)力與靜應(yīng)力的分離方法
- 煤礦井下地應(yīng)力場主應(yīng)力方向預(yù)測方法
- 一種基于管道軸向監(jiān)測應(yīng)力的預(yù)警方法
- 一種基于管道存在彈性敷設(shè)時軸向監(jiān)測應(yīng)力的預(yù)警方法
- 輪胎與路面的接觸應(yīng)力分布及應(yīng)力集中的檢測方法
- 一種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的應(yīng)力集中參數(shù)確定方法
- 一種基于電阻應(yīng)變效應(yīng)的在役結(jié)構(gòu)預(yù)應(yīng)力檢測方法





