[發明專利]數據存儲方法及裝置

在審

• 申請號: 202211060532.5
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115373607A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 王海江;唐朋朋;周乃彪;蔣科;陳健
• 申請（專利權）人: 北京奕斯偉計算技術股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 劉鐵鳴;劉鐵生

本申請公開一種數據存儲方法及裝置，涉及存儲技術領域。本申請的方法包括：確定待寫入的第一數據；若確定第一存儲區中存在與所述第一數據相同的數據，則在檢測到掉電指令時將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中；其中，所述寫入順序是按照所述第二存儲區中的各個存儲塊的地址的順序確定的，所述第一存儲區為基于靜態隨機存取存儲器SRAM構建的數據緩存區，所述第二存儲區為基于flash構建的存儲區，所述第二存儲區中的存儲塊是按照預設規則以目標字節數劃分的存儲單位。

技術領域

本申請涉及存儲技術領域，尤其涉及一種數據存儲方法及裝置。

背景技術

隨著技術的發展，存儲技術也隨之進步。目前，常規技術一般利用flash存儲器(Flash EEPROM Memory，簡稱flash存儲器)來實現隨機訪問的性能。flash存儲器是存儲芯片的一種，通過特定的程序可以修改里面的數據。flash在電子以及半導體領域內往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的“閃存”，其中在flash存儲器中數據是以千字節為單位的存儲塊進行分塊存儲的，也就是說在寫入數據后，不同的存儲塊在進行擦寫時需要整塊進行擦除。但在實際應用中，由于常規利用flash進行數據存儲的過程中需要不停的數據進行擦寫，即寫入和擦除，尤其是在隨機訪問的過程中，擦寫次數會大大提高。但在這個過程中，往往會因地址的順序不同，使得有些存儲塊會經常被擦寫，這就導致flash存儲器中不同的存儲塊因擦寫次數的不同而導致壽命不同，因此，現有的基于flash的數據存儲方式極易影響flash存儲器的整體使用壽命。

發明內容

本申請實施例提供一種數據存儲方法及裝置，主要目的在于實現一種基于flash的數據存儲方法，以解決目前常規的基于flash的數據存儲影響flash存儲器的整體使用壽命的問題。

為解決上述技術問題，本申請實施例提供如下技術方案：

第一方面，本申請提供了一種數據存儲方法，所述方法包括：

確定待寫入的第一數據；

若確定第一存儲區中存在與所述第一數據相同的數據，則在檢測到掉電指令時將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中；

其中，所述寫入順序是按照所述第二存儲區中的各個存儲塊的地址的順序確定的，所述第一存儲區為基于靜態隨機存取存儲器SRAM構建的數據緩存區，所述第二存儲區為基于flash構建的存儲區，所述第二存儲區中的存儲塊是按照預設規則以目標字節數劃分的存儲單位。

可選的，所述方法還包括：

若確定所述第一存儲區中不存在與所述第一數據相同的數據時，將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中。

可選的，所述在檢測到掉電指令時將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中，包括：

當檢測到掉電指令時，基于所述第二存儲區中的備份分區的寫入順序，在所述備份分區中的多個所述存儲塊中確定所述目標存儲塊，并將所述第一數據寫入至目標存儲中，其中，所述掉電指令包括休眠指令及掉電指令。

可選的，所述將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中若確定所述第一存儲區中不存在與所述第一數據相同的數據時，將所述第一數據按照所述寫入順序寫入所述第二存儲區中的所述目標存儲塊中，包括：

在所述第二存儲分區中確定頻繁記錄分區，并獲取所述頻繁記錄分區的寫入順序；

基于所述頻繁記錄分區的寫入順序，從所述頻繁記錄分區的多個存儲塊中，確定所述目標存儲塊，并在所述目標存儲塊中寫入所述第一數據。