[發明專利]石英烘干架及烘干裝置

在審

• 申請號: 202211058139.2
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115420093A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 侯曉佳;敖海林;唐升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: F26B25/18
• 分類號: F26B25/18;F26B9/06;F26B25/08;F26B21/00
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王思琦

本發明公開了石英烘干架及烘干裝置，屬于半導體器件加工技術領域，該石英烘干架，包括通過一連接支架固定連接的兩個固定支架，所述連接支架與兩個所述固定支架之間配合形成一具有開口的容置空間，所述連接支架上設置有至少一個限位機構，所述限位機構與所述連接支架配合用于使一石英件沿其表面延伸方向站立設置于所述容置空間中。通過將石英件站立放置在石英烘干架上，以便于直接轉移裝有石英件的石英烘干架進行清洗和烘干，加快石英件的周轉效率，提高石英件的烘干效率。

技術領域

本發明涉及半導體器件加工技術領域，特別涉及石英烘干架及烘干裝置。

背景技術

石英(QUARTZ)是由二氧化硅組成的礦物，是半導體器件制造領域的重要原材料，石英制品可用于半導體加工全過程。例如，在單片加工設備中，板材被用來制作窗口、氣體分布板、噴淋板、晶圓載體和載盤。然而，半導體對雜質含量非常敏感，而半導體制造中不可避免會引入一些顆粒、有機物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質對芯片良率的影響，實際生產中幾乎所有制程前后都需要進行頻繁地清洗，而且還需要提高單次的清洗效率，例如對石英進行清洗時，常采用HNO₃/HF進行清洗，清洗后的石英表面殘留的液體，經過PH試紙檢測為酸性，也就是說，清洗過的石英表面仍有大量酸性離子，直接接觸石英會對人體造成損害，為此在清洗結束后工作人員會用水槍沖洗石英的表面，沖洗掉石英表面的酸性離子后再放入烤箱內烘干后使用。

在半導體技術領域對石英進行烘干時，常采用的烘干機往往具有以下缺點：

業內對石英進行烘干采用的烘干機一般是臥式的，烘干機內部用于盛放石英件的金屬板距地面高度只有50cm，操作人員需跪下身子將石英件送入烘干機內，在拿取位于烘干機內部的石英時很不方便，并且烘干機烘干完成后的溫度約在100℃～120℃間，這樣的設計容易將操作人員燙傷，存在安全隱患；

另外，采用的臥式烘干機其內部空間有限，石英件往往直接平鋪疊放在烘干機底部，使得石英件表面直接接觸烘干機內部金屬托板，石英件表面殘留的液體會在烘干過程中流到金屬托板上，長時間使用，烘干機內部的不銹鋼金屬托板表面鍍層會被腐蝕破壞，進一步銹蝕金屬托板表面，導致金屬托板上銹蝕下來的金屬粒子會粘在清洗完的石英件上，污染最終的產品。

發明內容

本發明的目的在于提供石英烘干架及烘干裝置，以解決烘干機中難以取放石英以及烘干機易受腐蝕的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供石英烘干架，包括：通過一連接支架固定連接的兩個固定支架，所述連接支架與兩個所述固定支架之間配合形成一具有開口的容置空間，所述連接支架上設置有至少一個限位機構，所述限位機構與所述連接支架配合用于使一石英件沿其表面延伸方向站立設置于所述容置空間中。

優選地，所述連接支架包括至少一根托架和兩根側邊架，所述托架的兩端分別與一個所述固定支架的底部固定連接，所述側邊架的兩端分別與一個所述固定支架固定連接，所述托架、兩根所述側邊架以及兩根所述固定支架圍合形成所述具有開口的容置空間，其中，所述托架為所述容置空間的底部，兩根所述側邊架和兩個所述固定支架圍合組成所述容置空間的開口。

優選地，所述限位機構包括開設在所述托架上的第一限位卡槽，以及分別開設在所述側邊架上的第二限位卡槽、第三限位卡槽，所述第一限位卡槽、第二限位卡槽和所述第三限位卡槽配合限定一圓形空間，所述石英件用于卡設在所述圓形空間中。

優選地，所述限位機構包括至少兩個直徑不同的第一類限位機構、第二類限位機構，所述限位機構的直徑定義為對應的所述第一限位卡槽、第二限位卡槽和所述第三限位卡槽配合限定的圓形空間的直徑。

優選地，所述托架包括第一傾斜段、第一子托架件和第二子托架件，所述第一傾斜段的兩端分別與所述第一子托架件和第二子托架件的一端連接，所述第一子托架件、第二子托架件的另一端分別與一個所述固定支架連接；