[發明專利]半導體元件及其制作方法

在審

• 申請號: 202211053337.X
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN115621319A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 林靜齡;梁文安;黃振銘
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王銳

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

鰭狀結構，設于一基底上；

柵極結構和層間介電層，該柵極結構設于該鰭狀結構上，該層間介電層環繞該柵極結構；

單擴散隔離結構，設于該層間介電層以及該鰭狀結構內，其中該單擴散隔離結構包含：

下半部，其中該下半部上表面切齊該金屬柵極上表面；以及

上半部，設于該下半部上，其中該上半部以及該下半部包含不同寬度且該下半部的上表面高于該鰭狀結構的上表面。

2.如權利要求1所述的半導體元件，另包含：

第一間隙壁，環繞該金屬柵極；

第二間隙壁，環繞該單擴散隔離結構；以及

接觸洞蝕刻停止層，設于該第一間隙壁以及該第二間隙壁之間。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一間隙壁以及該第二間隙壁包含不同高度。

4.如權利要求2所述的半導體元件，其中該接觸洞蝕刻停止層為U型。

5.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第二間隙壁旁的接觸洞蝕刻停止層上表面低于該第一間隙壁旁的接觸洞蝕刻停止層上表面。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中該單擴散隔離結構包含：

襯墊層；以及

介電層，設于該襯墊層上，其中該襯墊層以及該介電層包含不同材料。

7.如權利要求1所述的半導體元件，另包含氣孔，設于該單擴散隔離結構內。

8.如權利要求1所述的半導體元件，其中該鰭狀結構沿著一第一方向延伸且該單擴散隔離結構沿著一第二方向延伸。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一方向垂直該第二方向。

10.一種半導體元件，其特征在于，包含：

鰭狀結構，設于一基底上；

柵極結構和層間介電層，該柵極結構設于該鰭狀結構上，該層間介電層環繞該柵極結構；

單擴散隔離結構，設于該層間介電層以及該鰭狀結構內，其中該單擴散隔離結構包含：

下半部；以及

上半部，設于該下半部上，其中該上半部以及該下半部包含不同寬度且該下半部的上表面高于該鰭狀結構的上表面；以及

氣隙，設于該單擴散隔離結構中，其中該氣隙的上表面高于該柵極結構的上表面。