[發(fā)明專利]太陽電池及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202211052793.2
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115312625A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王金;余義
• 申請（專利權(quán)）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/768;H01L31/0224;H01L31/109
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 周孝湖

1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供具有透明導(dǎo)電薄膜的太陽電池基片；

在所述透明導(dǎo)電薄膜上通過物理氣相沉積依次形成多層銅種子層；以及

在最外層的銅種子層上電鍍形成銅電極；

其中，形成最內(nèi)層的銅種子層的沉積功率為0.2KW～0.8KW，且形成最內(nèi)層的銅種子層的沉積功率小于形成其他層的銅種子層的沉積功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，自最內(nèi)層的銅種子層至最外層的銅種子層的方向上，形成各所述銅種子層的沉積功率逐漸增大。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，自最內(nèi)層的銅種子層至最外層的銅種子層的方向上，形成外層銅種子層的沉積功率為形成與其相鄰的內(nèi)層銅種子層的沉積功率的2倍～5倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述透明導(dǎo)電薄膜上通過物理氣相沉積依次形成第一銅種子層、第二銅種子層及第三銅種子層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一銅種子層的沉積功率為0.2KW～0.8KW，形成所述第二銅種子層的沉積功率為1.0KW～3.5KW，形成所述第三銅種子層的沉積功率為3.6KW～7.5KW。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述第一銅種子層的厚度大于5nm且小于150nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成所述第二銅種子層的基體傳輸速率大于或等于形成所述第一銅種子層的基體傳輸速率，形成所述第三銅種子層的基體傳輸速率大于或等于形成所述第二銅種子層的基體傳輸速率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，各所述銅種子層的總厚度為100nm～200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述太陽電池基片的制備方法，包括如下步驟：

在單晶硅襯底上形成非晶硅層；以及

在所述非晶硅層上形成所述透明導(dǎo)電薄膜。

10.一種太陽電池，其特征在于，所述太陽電池通過權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的太陽電池的制備方法制備得到。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽電池，其特征在于，包括：

單晶硅襯底；

非晶硅層，設(shè)于所述單晶硅襯底的至少一個表面上；

透明導(dǎo)電薄膜，設(shè)于所述非晶硅層背離所述單晶硅襯底一側(cè)的表面上；

多層銅種子層，多層所述銅種子層依次層疊設(shè)于所述透明導(dǎo)電薄膜背離所述非晶硅層一側(cè)的表面上；以及

銅電極，設(shè)于最外層的所述銅種子層背離所述透明導(dǎo)電薄膜一側(cè)的表面上。