[發明專利]光掩膜版及其制作方法

在審

• 申請號: 202211052215.9
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115933310A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 祁耀亮
• 申請（專利權）人: 睿晶半導體（寧波）有限公司
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68;G03F1/26
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 高德志

一種光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供透明基板，所述透明基板包括中間區域和環繞所述中間區域的邊緣區域；在所述透明基板的中間區域表面上形成若干分立的遮蔽圖形；提供環形框架，將所述環形框架粘附在所述透明基板的邊緣區域表面，所述環形框架包圍所述遮蔽圖形；在所述環形框架中填充二氧化硅氣凝膠層，所述二氧化硅氣凝膠層覆蓋所述遮蔽圖形以及透明基板的中間區域表面；在所述環形框架的頂部表面形成封閉環形框架內部空間的保護膜。本申請的方法能防止“灰霾”缺陷的產生。

技術領域

本申請涉及光掩膜版領域，尤其涉及一種能防止“灰霾”缺陷產生的光掩膜版及其制作方法。

背景技術

光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術。光刻工藝通常包括步驟：先在晶圓表面涂布光刻膠等感光材料，在光刻膠材料干燥后，通過曝光機將光掩模版上的掩模圖形以特定光源曝在所述的光刻膠感光材料上，隨后，再以顯影劑將光刻膠感光材料顯影，在晶圓表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形在后續進行離子注入工藝或刻蝕工藝時作為掩膜圖形。

現有的光罩防護膜結構一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽圖形(或掩膜圖形)；位于所述透明基板表面上的環形框架，所述環形框架包圍所述遮蔽圖形；位于所述環形框架頂部表面的保護膜，所述保護膜和環形框架用于密封所述光掩膜版。

但是現有的光掩膜版在使用的過程中，光掩模版上會形成異物狀生長缺陷，這些生長缺陷也稱為“灰霾”，影響了曝光的精度和準確性。

發明內容

本申請一些實施例提供了一種光掩膜版的制作方法，包括：

提供透明基板，所述透明基板包括中間區域和環繞所述中間區域的邊緣區域；

在所述透明基板的中間區域表面上形成若干分立的遮蔽圖形；

提供環形框架，將所述環形框架粘附在所述透明基板的邊緣區域表面，所述環形框架包圍所述遮蔽圖形；

在所述環形框架中填充二氧化硅氣凝膠層，所述二氧化硅氣凝膠層覆蓋所述遮蔽圖形以及透明基板的中間區域表面；

在所述環形框架的頂部表面形成封閉環形框架內部空間的保護膜。

在一些實施例中，所述二氧化硅氣凝膠層的折射率1.01，透光率＝90％，孔徑粒徑為1～6nm，密度＜3kg/m³，二氧化硅氣凝膠層高度小于或等于所述金屬框架高度。

在一些實施例中，所述二氧化硅氣凝膠層的形成工藝包括溶膠凝膠法、溶劑沉積法或化學氣相沉積法。

在一些實施例中，所述溶膠凝膠法采用的硅源包括正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、硅溶膠或水玻璃。

在一些實施例中，所述二氧化硅氣凝膠層用于吸附銨根離子和硫酸根離子以及污染顆粒，防止光掩膜版的中間區域表面以及遮蔽圖形的表面產生“灰霾”缺陷。

在一些實施例中，所述環形框架通過粘附層粘附在所述透明基板的邊緣區域。

本申請一些實施例還提供了一種光掩膜版，包括：

透明基板，所述透明基板包括中間區域和環繞所述中間區域的邊緣區域；

位于所述透明基板的中間區域表面上的若干分立的遮蔽圖形；

粘附在所述透明基板的邊緣區域表面上的環形框架，所述環形框架包圍所述遮蔽圖形；

填充在所述環形框架中的二氧化硅氣凝膠層，所述二氧化硅氣凝膠層覆蓋所述遮蔽圖形以及透明基板的中間區域表面；

位于所述環形框架的頂部表面封閉所述環形框架內部空間的保護膜。