[發明專利]閃存器件的浮柵的刻蝕方法

在審

• 申請號: 202211050189.6
• 申請日: 2022-08-30
• 公開（公告）號: CN115763545A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 張磊;關長利
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/40;H10B41/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟1)提供一閃存器件的存儲區結構，所述存儲區結構包括由下至上依次層疊的柵氧化層、浮柵多晶硅層、柵介質層及控制柵多晶硅層，其中，所述控制柵多晶硅層及所述柵介質層形成有第一刻蝕窗口，且所述第一刻蝕窗口的側壁形成有側墻結構；

步驟2)于所述存儲區結構的表面形成第一氧化層；

步驟3)利用第一刻蝕工藝對所述第一氧化層進行刻蝕，并于所述第一刻蝕窗口處刻蝕預設深度的所述浮柵多晶硅層以形成刻蝕開口；

步驟4)于步驟3)所形成結構的表面形成第二氧化層；

步驟5)利用第二刻蝕工藝對所述第二氧化層進行刻蝕直至使得所述刻蝕開口底部的所述浮柵多晶硅層漏出，并使得所述刻蝕開口的側壁仍由所述第二氧化層覆蓋；

步驟6)于所述刻蝕開口處利用第三次刻蝕工藝對所述浮柵多晶硅層進行刻蝕以形成浮柵。

2.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述預設深度的范圍包括

3.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度范圍包括

4.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，利用沉積工藝形成所述第一氧化層及所述第二氧化層。

5.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝、所述第二刻蝕工藝及所述第三刻蝕工藝均為干法刻蝕。

6.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，在步驟6)中，選用對所述第二氧化層具有高選擇比的刻蝕氣體。

7.根據權利要求1～6任一項所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述控制柵多晶硅層的表面形成有掩膜層，且所述掩膜層形成有第二刻蝕窗口，所述第二刻蝕窗口與所述第一刻蝕窗口連通，并大于所述第一刻蝕窗口，此時，所述側墻結構還形成于所述第二刻蝕窗口的側壁處。

8.根據權利要求1所述的閃存器件的浮柵的刻蝕方法，其特征在于，所述柵介質層包括底部氧化層、中間氮化層及頂部氧化層，其中，所述底部氧化層形成于所述浮柵多晶硅層的表面，所述中間氮化層形成于所述底部氧化層與所述頂部氧化層之間。