[發明專利]直拉法拉制單晶硅棒的方法、單晶硅棒、硅片及外延硅片在審
| 申請號： | 202211049468.0 | 申請日： | 2022-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN115404539A | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發明（設計）人： | 宋少杰;車賢湖;宋振亮;王晨陽 | 申請（專利權）人： | 西安奕斯偉材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;C30B23/02 |
| 代理公司： | 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;王渝 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 法拉 制單 晶硅棒 方法 單晶硅 硅片 外延 | ||
1.一種采用直拉法拉制單晶硅棒的方法，其特征在于，將用于拉制所述單晶硅棒的硅熔體的氮濃度調整成使得，拉制出的所述單晶硅棒中旨在被切割成硅片的節段的初始拉制部分的氮濃度大于7E13 atom/cm3。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，拉制出的所述單晶硅棒在冷卻過程中的溫度梯度滿足0(Ge-Gc)/Ge0.2，其中，Ge為所述單晶硅棒的周緣處的軸向溫度梯度，Gc為所述單晶硅棒的中心處的軸向溫度梯度。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，拉制所述單晶硅棒的拉速V與所述單晶硅棒的周緣處的軸向溫度梯度Ge之間的比值滿足0.23V/Ge0.28，其中，所述拉速V的單位為mm/min，所述軸向溫度梯度Ge的單位為K/mm。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述節段的末尾拉制部分的氮濃度小于1.4E15 atom/cm3。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述節段的初始拉制部分的氮濃度小于1.25E14 atom/cm3。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在整個拉制過程中，所述初始拉制部分在所述單晶硅棒剛剛發生轉肩時形成，所述末尾拉制部分在所述單晶硅棒即將發生收尾時形成。
7.一種單晶硅棒，其特征在于，所述單晶硅棒由根據權利要求1至6中任一項所述的方法拉制而成。
8.一種硅片，其特征在于，所述硅片通過對根據權利要求7所述的單晶硅棒的所述節段進行切割而獲得。
9.根據權利要求8所述的硅片，其特征在于，對所述節段中氮濃度大于9E13 atom/cm3的部分進行切割所得到的硅片分類為第一等級硅片，對所述節段中氮濃度小于等于9E13atom/cm3的部分進行切割所得到的硅片分類為第二等級硅片。
10.一種外延硅片，其特征在于，所述外延硅片通過對根據權利要求8或9所述的硅片進行外延生長而獲得。
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