[發明專利]一種人工合成反鐵磁斯格明子檢驗的方法在審
| 申請號： | 202211049322.6 | 申請日： | 2022-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN115541694A | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 周艷;趙月雷;楊晟;武凱 | 申請（專利權）人： | 香港中文大學（深圳） |
| 主分類號： | G01N27/72 | 分類號： | G01N27/72;H01L43/06;G11C11/18;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 人工合成 反鐵磁斯格 明子 檢驗 方法 | ||
1.一種人工合成反鐵磁斯格明子檢驗的方法，其特征在于，包括：
誘導人工合成反鐵磁多層膜內產生磁斯格明子；
施加從第一磁場變化到第二磁場，獲取所述磁斯格明子與圍繞所述磁斯格明子四周區域在顯微鏡下的成像圖像；
根據成像圖像，確定所述磁斯格明子與圍繞所述磁斯格明子四周區域是否存在襯度差，如果是，則所述磁斯格明子是人工合成反鐵磁斯格明子。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，誘導出人工合成反鐵磁多層膜內產生磁斯格明子，包括：
通過電源的正極和負極給人工合成反鐵磁多層膜通外加電流，所述外加電流使所述人工合成反鐵磁多層膜內產生磁斯格明子。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，將所述人工合成反鐵磁多層膜接入電路，并施加電流以誘導所述人工合成反鐵磁多層膜內產生磁斯格明子，之后還包括：
撤離所述外加電流。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
所述人工合成反鐵磁多層膜包括依次層疊的第一磁性層，非磁性金屬層，第二磁性層，且所述第一磁性層和所述第二磁性層處于反鐵磁耦合狀態。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，
所述第一磁性層結構為[Pt(0.5nm)/Co(0.5nm)]3，所述第二磁性層結構為[Co(0.5nm)/Pt(0.5nm)]3，并且所述第一磁性層與所述第二磁性層均為垂直磁化層。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述非磁性金屬層為Ru層，所述Ru層為楔形。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述Ru層為厚度從0到3 nm均勻變化的楔形模。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，施加從第一磁場變化到第二磁場，獲取所述磁斯格明子與圍繞所述磁斯格明子四周區域在顯微鏡下的成像圖像，包括：
所述第一磁場為0 mT，所述第二磁場為10mT，或者所述第二磁場為反方向10mT。
9.一種磁性存儲單元，其特征在于，包括
人工合成反鐵磁多層膜，所述人工合成反鐵磁多層膜包括依次層疊的第一磁性層，非磁性金屬層，第二磁性層，且所述第一磁性層和所述第二磁性層處于反鐵磁耦合狀態；
所述人工合成反鐵磁多層膜被權利要求1-8任一項所述的方法檢驗。
10.一種磁性存儲器，其特征在于，所述磁性存儲器包括權利要求9所述的磁性存儲單元。
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