[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211048854.8
• 申請(qǐng)日: 2022-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN115831748A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遇寒;陳躍華;趙波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 張亞靜

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有至少一個(gè)分立的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極材料層，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)還設(shè)置有位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的漏區(qū)和源區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成第一遮蔽層，所述第一遮蔽層暴露所述柵極材料層的頂面，并同時(shí)遮蔽所述源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底的表面；

對(duì)暴露出的柵極材料層進(jìn)行第一次金屬硅化處理，以形成第一金屬硅化物層；

形成第二遮蔽層，所述第二遮蔽層暴露所述源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底的表面，并同時(shí)遮蔽所述第一金屬硅化物層的頂面；

對(duì)暴露出的所述源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二次金屬硅化處理，以形成第二金屬硅化物層，所述第一金屬硅化物的厚度厚于所述第二金屬硅化物的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述柵極材料層的材料包括多晶硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一金屬硅化物層之后，且在形成第二遮蔽層之前，所述方法還包括：

形成第一氧化物層和柵極保護(hù)層，所述第一氧化物層覆蓋在所述第一金屬硅化物層以及所述第一遮蔽層的表面上，所述柵極保護(hù)層覆蓋在所述柵極結(jié)構(gòu)的部分頂面、一側(cè)壁以及位于所述源區(qū)或漏區(qū)的第一氧化物層的部分表面上；

形成覆蓋所述第一氧化物層和所述柵極保護(hù)層的第二氧化物層；

以及，所述方法形成所述第二遮蔽層的步驟，包括：

對(duì)所述第二氧化物層、第一氧化物層和第一遮蔽層進(jìn)行刻蝕，以在所述半導(dǎo)體襯底上形成暴露出所述源區(qū)或漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底的頂面的開口，并將剩余堆疊的第二氧化物層、第一氧化物層和第一遮蔽層組成所述第二遮蔽層。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一金屬硅化物層和所述第二金屬硅化物層的金屬包括：金屬鈦。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二金屬硅化物層之后，所述方法還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成金屬前介電質(zhì)層，并對(duì)所述金屬前介電質(zhì)層進(jìn)行機(jī)械研磨工藝直至目標(biāo)厚度。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬前介電質(zhì)層的材料包括二氧化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一遮蔽層和所述第二遮蔽層的材料包括二氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成所述漏區(qū)和源區(qū)的步驟，包括：

在形成所述柵極結(jié)構(gòu)之后，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對(duì)各個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入工藝，以形成所述源區(qū)和所述漏區(qū)。

9.如權(quán)利要求1或8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述源區(qū)和所述漏區(qū)的離子注入工藝所注入的離子為N型離子，所述N型離子包括磷、砷和銻中的至少一種。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～9任一所述的半導(dǎo)體器件的制造方法制備而成。