[發(fā)明專(zhuān)利]固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試方法和裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211048713.6
• 申請(qǐng)日: 2022-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115458032A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路學(xué)廣
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/56
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/56
• 代理公司: 北京市萬(wàn)慧達(dá)律師事務(wù)所 11111
• 代理人: 謝浩榮

本申請(qǐng)涉及一種固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：響應(yīng)于待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)完成格式化處理，采集待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量，并將預(yù)設(shè)的測(cè)試文件拷貝至待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)；響應(yīng)于待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)正確完成測(cè)試文件的拷貝，采集待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量；根據(jù)第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量進(jìn)行計(jì)算，得到待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試值；其中，測(cè)試值用于表征待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)受寫(xiě)入放大機(jī)制的影響程度。采用本方法能夠能夠了解待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)受寫(xiě)入放大機(jī)制的影響程度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及硬盤(pán)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Disk)是由控制單元和存儲(chǔ)單元組成，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)。固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(Dram)作為存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，目前主流的基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)均采用NAND Flash芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，其特別之處在于工作時(shí)沒(méi)有機(jī)械運(yùn)動(dòng)。利用傳統(tǒng)的NAND Flash特性，以頁(yè)寫(xiě)入和塊擦除的方式進(jìn)行讀寫(xiě)操作，因此在讀寫(xiě)的效率上，非常依賴(lài)讀寫(xiě)技術(shù)。

由于Flash芯片具有擦除次數(shù)有限、先擦除再寫(xiě)的特點(diǎn)，當(dāng)前SLC(Single LevelCell，單層單元)Flash芯片每個(gè)塊擦除最多是10萬(wàn)次，而MLC(Multi-Level Cell，多層單元)Flash芯片每個(gè)塊擦除最多1萬(wàn)次。由此可以看出，寫(xiě)入放大會(huì)嚴(yán)重縮短基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命，同時(shí)讀、修改、擦除操作無(wú)疑延長(zhǎng)了寫(xiě)周期，所以嚴(yán)重降低了基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入速度。而且會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重，隨著基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量的增大而變緩。然而，傳統(tǒng)技術(shù)存在無(wú)法準(zhǔn)確地了解待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)受寫(xiě)入放大機(jī)制的影響程度。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種能夠準(zhǔn)確地了解待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)受寫(xiě)入放大機(jī)制的影響程度的固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

第一方面，提供一種固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試方法，上述方法包括：

響應(yīng)于待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)完成格式化處理，采集待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量，并將預(yù)設(shè)的測(cè)試文件拷貝至待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)；

響應(yīng)于待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)正確完成測(cè)試文件的拷貝，采集待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量；

根據(jù)第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量進(jìn)行計(jì)算，得到待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試值；其中，測(cè)試值用于表征待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)受寫(xiě)入放大機(jī)制的影響程度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量、第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量進(jìn)行計(jì)算，得到待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制的測(cè)試值的步驟包括：根據(jù)第二閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第一閃存寫(xiě)入數(shù)據(jù)量的差值，得到第一目標(biāo)差值；根據(jù)第二實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量和第一實(shí)際寫(xiě)入數(shù)據(jù)量的差值，得到第二目標(biāo)差值；根據(jù)第一目標(biāo)差值和第二目標(biāo)差值的商，得到測(cè)試值。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，上述方法還包括：根據(jù)測(cè)試值和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試值，判斷待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制是否符合測(cè)試要求。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)測(cè)試值和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試值，判斷待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制是否符合測(cè)試要求的步驟包括：根據(jù)測(cè)試值和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試值的差值的絕對(duì)值，得到目標(biāo)絕對(duì)值；響應(yīng)于目標(biāo)絕對(duì)值小于或等于測(cè)試閾值，確定待測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入放大機(jī)制符合測(cè)試要求。