[發(fā)明專利]一種界面修飾的二硫化鉬材料及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211048407.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-08-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115340128B | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳洪;王然浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南方科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01G39/06 | 分類號(hào)： | C01G39/06;B82Y40/00;C22B3/44;C22B11/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 張建珍 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 界面 修飾 二硫化鉬 材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種界面修飾的二硫化鉬材料及其制備方法與應(yīng)用。所述界面修飾的二硫化鉬材料為吡啶類物質(zhì)共價(jià)修飾的二硫化鉬材料。本發(fā)明公開的界面修飾的二硫化鉬材料，是一種新型的有機(jī)功能分子修飾的二硫化鉬材料，具體為吡啶類物質(zhì)共價(jià)修飾的二硫化鉬材料。所述界面修飾的二硫化鉬材料具有良好的水溶性和穩(wěn)定性，且對(duì)貴金屬具有較高的回收效率，應(yīng)用前景好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種界面修飾的二硫化鉬材料及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
由于其獨(dú)特的物理、化學(xué)和電子特性，人們致力于合成超薄單層或多層1T相二硫化鉬。通過將有機(jī)功能分子通過共價(jià)鍵接枝到1T相二硫化鉬表面，可以進(jìn)一步調(diào)節(jié)原始材料的帶隙，促進(jìn)其在溶劑中的分散，增加對(duì)目標(biāo)分析物的光吸收和良好親和力。目前有機(jī)功能分子修飾的二硫化鉬材料的研究取得了一定的進(jìn)展，然而，常規(guī)的有機(jī)功能分子修飾的二硫化鉬材料越來越難以滿足二硫化鉬材料的應(yīng)用需求，亟需研發(fā)新型的二硫化鉬材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提出一種界面修飾的二硫化鉬材料，為吡啶類物質(zhì)共價(jià)修飾的二硫化鉬材料，具有應(yīng)用前景好的特點(diǎn)。
本發(fā)明還提出一種界面修飾的二硫化鉬材料的制備方法。
本發(fā)明還提出一種組合物。
本發(fā)明還提出上述界面修飾的二硫化鉬材料或組合物的應(yīng)用。
本發(fā)明的第一方面，提出了一種界面修飾的二硫化鉬材料，所述界面修飾的二硫化鉬材料為吡啶類物質(zhì)共價(jià)修飾的二硫化鉬材料。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的界面修飾的二硫化鉬材料，至少具有以下有益效果：
所述界面修飾的二硫化鉬材料是一種新型的有機(jī)功能分子修飾的二硫化鉬材料，具體為吡啶類物質(zhì)共價(jià)修飾的二硫化鉬材料。所述界面修飾的二硫化鉬材料具有良好的水溶性和穩(wěn)定性，且對(duì)貴金屬具有較高的回收效率，應(yīng)用前景好。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料為吡啶共價(jià)修飾的1T相二硫化鉬。
在本發(fā)明的一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述吡啶共價(jià)修飾的1T相二硫化鉬包括吡啶基團(tuán)和二硫化鉬，所述吡啶基團(tuán)與二硫化鉬的摩爾比為1:(2-8)。
在本發(fā)明的一些更優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述吡啶共價(jià)修飾的1T相二硫化鉬包括吡啶基團(tuán)和二硫化鉬，所述吡啶基團(tuán)與二硫化鉬的摩爾比為1:(5-7)。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述吡啶共價(jià)修飾的1T相二硫化鉬包括吡啶基團(tuán)和二硫化鉬，所述吡啶基團(tuán)與二硫化鉬的摩爾比為1:6。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料中，氮原子與鉬原子的摩爾比為1:(5-7)，優(yōu)選為1:6。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料呈納米層狀結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料呈納米花狀。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料的厚度為1-5nm。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述界面修飾的二硫化鉬材料中，吡啶上C-4位的碳與1T相二硫化鉬的表面硫原子通過共價(jià)鍵相連。也即吡啶上C-4位的碳與1T相二硫化鉬的表面硫原子以共價(jià)鍵的形式連接在一起。
本發(fā)明的第二方面，提出了一種界面修飾的二硫化鉬材料的制備方法，采用水熱法制得所述界面修飾的二硫化鉬材料，其中，所述界面修飾的二硫化鉬材料的制備原料包括巰基吡啶類物質(zhì)和鉬源。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的界面修飾的二硫化鉬材料的制備方法，至少具有以下有益效果：
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