[發明專利]半導體光學設備及其制造方法

在審

• 申請號: 202211047561.8
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN115939936A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 菅一輝;中原宏治
• 申請（專利權）人: 朗美通日本株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

1.一種半導體光學設備，包括：

下臺面結構，所述下臺面結構以條帶形狀延伸并且由包括活性層的一些層組成；

掩埋層，所述掩埋層被配置為掩埋所述下臺面結構的兩側并且由磷化銦制成；以及

上臺面結構，所述上臺面結構以條帶形狀延伸并且由一些層組成，所述一些層包括由無磷材料制成的底層，所述底層具有從所述下臺面結構的最頂層突出的底表面，所述底表面與所述下臺面結構和所述掩埋層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體光學設備，其中所述掩埋層在與所述底層的所述底表面接觸的部分處最厚。

3.根據權利要求2所述的半導體光學設備，其中所述掩埋層的與所述底層的所述底表面接觸的所述部分是突起。

4.根據權利要求1所述的半導體光學設備，還包括絕緣層，該覆蓋所述上臺面結構的側表面和所述掩埋層的上表面。

5.根據權利要求4所述的半導體光學設備，其中

所述掩埋層具有在所述下臺面結構的所述最頂層與所述絕緣層之間的部分，并且

絕緣層不與最頂層接觸。

6.根據權利要求4所述的半導體光學設備，其中

所述絕緣層具有與所述掩埋層接觸的接觸表面，并且

接觸表面低于底層的底表面。

7.根據權利要求1所述的半導體光學設備，其中所述掩埋層下方的基礎部分由磷化銦制成。

8.根據權利要求7所述的半導體光學設備，其中所述掩埋層下方的所述基礎部分是基板上的緩沖層。

9.根據權利要求1所述的半導體光學設備，其中，所述底層的材料是InGaAlA、InAlA或InGaA中的任一種。

10.一種用于制造半導體光學設備的方法，所述方法包括：

形成臺面條帶結構，所述臺面條帶結構包括下臺面結構，所述下臺面結構以條帶形狀延伸并且由包括活性層的一些層組成，所述臺面條帶結構包括上臺面結構，所述上臺面結構在所述下臺面結構上以條帶形狀延伸并且由包括底層的一些層組成，所述底層具有從所述下臺面結構的最頂層突出的底表面，所述底層由無磷材料制成；以及

在形成所述臺面條帶結構之后，通過晶體生長在所述下臺面結構的兩側上形成由磷化銦制成的掩埋層，以與所述底表面接觸。

11.根據權利要求10所述的用于制造半導體光學設備的方法，其中，在除了所述底表面之外的所述上臺面結構被圖案化掩模覆蓋的情況下執行所述晶體生長。

12.根據權利要求11所述的用于制造半導體光學設備的方法，其中，所述圖案化掩模沿著所述上臺面結構的側表面突出，以超過所述底表面。

13.根據權利要求12所述的用于制造半導體光學設備的方法，其中，所述圖案化掩模在與所述下臺面結構的最頂層間隔開的位置處沿遠離所述最頂層的方向突出。

14.根據權利要求10所述的用于制造半導體光學設備的方法，其中，形成所述臺面條帶結構包括：

沉積多個層以成為所述上臺面結構和所述下臺面結構；

在將成為所述上臺面結構的層疊體和將成為所述下臺面結構的最頂層的層上執行蝕刻，留下對應于所述上臺面結構的區域；

執行第一選擇性蝕刻，所述第一選擇性蝕刻的反應對于所述下臺面結構的最頂層來說是緩慢的，但是對于將成為所述下臺面結構的除所述最頂層之外的層的層疊體來說是活躍的；以及

執行第二選擇性蝕刻，所述第二選擇性蝕刻的反應對于所述上臺面結構的所述底層來說是緩慢的，但是對于將成為所述下臺面結構的所述最頂層的經蝕刻的層來說是活躍的，

其中執行所述第一選擇性蝕刻和所述第二選擇性蝕刻，以留下對應于所述下臺面結構的區域。